SK hynix investirá US$ 1 bilhão no desenvolvimento de capacidades de empacotamento de memória HBM

Desejando manter sua posição de liderança no mercado de chips de memória HBM, a empresa sul-coreana SK hynix investirá mais de US$ 1 bilhão este ano na expansão de sua capacidade de testes e embalagens em seu país de origem. De acordo com especialistas terceirizados, o gasto total de capital da SK hynix este ano atingirá US$ 10,5 bilhões

Fonte da imagem: SK Hynix

Dado que um décimo deste orçamento será destinado ao empacotamento de memória, esta área de atividade pode ser considerada prioritária, conforme explica a Bloomberg. Este negócio é liderado por Lee Kang-Wook, que anteriormente fez um trabalho semelhante na Samsung Electronics. A combinação de diferentes materiais semicondutores e o desenvolvimento de novos métodos de interconexão são áreas de especialização deste ex-engenheiro da Samsung. Para ele, os primeiros 50 anos da indústria de semicondutores foram dedicados aos estágios iniciais de criação de componentes relacionados ao processamento de silício, e os próximos 50 anos serão dedicados às tecnologias de empacotamento de chips.

Lee Kang-wook participou diretamente no desenvolvimento de métodos de empacotamento para chips de memória HBM2E; foi esse know-how que permitiu à SK hynix se tornar o principal fornecedor dessa memória para as necessidades da NVIDIA desde o final de 2019. Como engenheiro da Samsung, ele lidera o desenvolvimento de interconexões intercamadas em componentes semicondutores empilhados desde 2002. Essa tecnologia posteriormente serviu de base para a criação dos chips de memória HBM, que na última geração possuem 12 camadas, conectadas verticalmente. Quando a SK hynix e a AMD foram pioneiras no uso do HBM em produtos produzidos em massa em 2013, nenhum concorrente conseguiu seguir o exemplo durante dois anos, até que a Samsung introduziu o HBM2 no final de 2015. Lee Kang-wook juntou-se à SK Hynix três anos depois.

A SK hynix está atualmente colaborando com empresas japonesas para desenvolver tecnologia mais avançada para formar interconexões verticais em chips de memória HBM. No final de fevereiro, a Samsung anunciou que havia concluído o desenvolvimento dos chips HBM3E com 12 camadas, que podem fornecer até 36 GB de memória em uma única pilha. Ao mesmo tempo, a Micron Technology anunciou o lançamento da memória HBM3E de 8 camadas, que pode oferecer até 24 GB de capacidade em uma única pilha. Acredita-se que a NVIDIA adquirirá esses chips de ambos os concorrentes da SK hynix. Além do desenvolvimento das empresas de embalagens HBM na Coreia do Sul, a SK Hynix está se preparando para investir vários bilhões de dólares na implementação de um projeto especializado nos Estados Unidos.