À medida que a batalha pela liderança no espaço HBM se intensifica, a concorrência no mercado NAND também se intensifica. A SK hynix começou a desenvolver memória flash NAND de 400 camadas para fornecer densidades de armazenamento mais altas, com planos de lançar a tecnologia em produção em massa até o final de 2025.
Fonte da imagem: SK Hynix
De acordo com a publicação analítica TrendForce, citando reportagem da publicação coreana etnews, a SK hynix já colabora com parceiros e fornecedores de equipamentos cujas conexões são necessárias para desenvolver processos tecnológicos para a produção de NAND com mais de 400 camadas utilizando wafer híbrido -tecnologia wafer. Aumentar o número de camadas deve melhorar o desempenho e a eficiência energética da memória NAND, o que, segundo especialistas, terá um efeito positivo nas características dos dispositivos que a utilizam.
Anteriormente, a empresa utilizava a técnica Peripheral Under Cell (PUC) e colocava a lógica de controle sob as células NAND, mas à medida que o número de camadas aumentava, surgiam problemas com danos aos circuitos periféricos devido ao alto calor e pressão. O novo método envolve fabricar células e circuitos de controle em wafers separados e depois conectá-los, o que deve levar a um aumento contínuo no número de camadas NAND.
Mas não apenas a SK hynix está envolvida em pesquisa e desenvolvimento na área de aumento do número de camadas de memória NAND. A Samsung confirmou anteriormente que iniciou a produção em massa de células de camada tripla (TLC) de 1 terabyte de 9ª geração NAND (V-NAND), com o número de camadas chegando a 290, estabelecendo a meta de aumentar o número de camadas V-NAND para 1000 até 2030. Por sua vez, a empresa americana Micron Technology anunciou o cliente SSD 2650, que se tornou o primeiro produto construído em 3D NAND de 276 níveis. E o fabricante japonês de chips de memória Kioxia, após aumentar com sucesso o número de níveis 3D NAND para 218 em 2023, anunciou a possibilidade de atingir 1.000 níveis até 2027.
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