SK hynix e Samsung falam sobre memória HBM4E: até 20 níveis e 64 GB em uma pilha

Como a SK Hynix já admitiu ter começado a fornecer amostras de chips de memória HBM4, seria estranho manter suas especificações em segredo. Representantes da Computer Base conseguiram resumir todas as informações publicadas nos últimos dias sobre os planos dos principais players do mercado na área de produção de HBM4, e as características dessa memória são intrigantes.

Fonte da imagem: ComputerBase.de

Embora a SK Hynix tenha anunciado ontem que começou a enviar pilhas HBM4 de 12 camadas e 36 GB a 8 Gbps. Mas esses números não serão o máximo, é claro. Como era de se esperar, a altura da pilha aumentará primeiro para 16 peças e, no futuro, chegará a 20 peças, mas essa última característica provavelmente será inerente ao sucessor do HBM4. A SK hynix pretende oferecer pilhas HBM4 de 16 camadas com capacidade de 48 GB. Ninguém vai limitar a largura de banda a 8 Gbit/s, já que a própria Samsung Electronics pretende aumentá-la para 9,2 Gbit/s.

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Hoje em dia, até a americana Micron Technology deixou sua marca, declarando brevemente que começará a produzir memória HBM4 em grandes quantidades em 2026. A Samsung também explica que pretende oferecer tanto o HBM4 quanto o HBM4E em um design de 16 camadas, mas enquanto no primeiro caso o tamanho máximo da pilha será limitado a 36 GB, no segundo chegará a 64 GB. Ao mesmo tempo, a largura de banda da memória também aumentará de 9,2 para 10 Gbps. Ao lançar o HBM4 e o HBM4E, a Samsung explica que usará uma litografia mais complexa, inerente às tecnologias de fabricação de componentes lógicos. Provavelmente, será necessário para o lançamento do cristal da pilha base.