SK hynix criará um substituto acessível para a memória HBM para placas de vídeo de jogos – chips DRAM serão conectados ponta a ponta

A empresa sul-coreana SK hynix, conforme observado pela Business Korea citando fontes da indústria, publicará no próximo ano os resultados de seus desenvolvimentos na integração de chips de memória usando o método “2.5D Fan-out”. Envolve a conexão de dois chips ponta a ponta e não foi usado anteriormente na produção de chips de memória.

Fonte da imagem: SK Hynix

Este novo método propõe colocar dois chips DRAM próximos um do outro horizontalmente e depois combiná-los como se fossem um único chip. Uma característica é que o microcircuito acabado é mais fino, pois nenhum substrato é adicionado sob os chips.

Segundo a fonte, a TSMC utiliza um arranjo semelhante para integrar chips diferentes desde 2016, e encontrou aplicação na produção de processadores para Apple, mas os fabricantes de memória até agora não demonstraram qualquer atenção a esta tecnologia. Como se sabe, a integração vertical de chips de memória do tipo HBM pode aumentar significativamente a largura de banda da interface, mas este é um método muito caro, e o chamado “2.5D Fan-out” poderia ser uma alternativa razoável na produção de outros Chips do tipo DRAM. Espera-se que a SK hynix use este método de integração ao lançar memória GDDR para GPUs para jogos.

Como você sabe, a AMD já experimentou o uso de memória HBM de primeira geração em soluções gráficas de consumo, mas a ideia não foi desenvolvida devido à viabilidade econômica limitada. Talvez, se a SK hynix for além de seus concorrentes no uso de um layout 2.5D alternativo, ela será capaz de obter certas vantagens na formação de contratos com NVIDIA e AMD ao lançar componentes para placas de vídeo de jogos de próxima geração. Porém, como no próximo ano serão apresentados apenas os resultados das pesquisas nesta área, não se pode contar com a rápida introdução deste tipo de layout na produção em massa de memória.