SK hynix conseguiu reduzir defeitos durante o lançamento do HBM3E para modestos 20%

A produção de chips HBM requer um grande número de wafers de silício, não apenas devido à grande área total dos cristais, mas também devido ao nível bastante elevado de defeitos. Se historicamente o rendimento de cristais utilizáveis ​​durante a produção de HBM não excedeu 40-60%, então a SK Hynix conseguiu aumentar o número para 80%.

Fonte da imagem: SK Hynix

Kwon Jae-soon, diretor de gestão de qualidade da SK hynix, afirmou isso em entrevista ao Financial Times. Ao mesmo tempo, a empresa conseguiu reduzir o tempo do ciclo de produção do HBM3E em 50%. Até agora, acreditava-se que o nível de rendimento dos produtos HBM3E adequados na produção do SK Hynix não excedia 60-70%, mas este foi considerado um indicador muito decente. A taxa reivindicada de 80% excede essas expectativas e demonstra o sucesso da SK hynix na otimização de seus processos de produção.

Em 2025, a SK hynix espera dominar a produção em massa de memória HBM4 em uma versão de 12 camadas, seu parceiro nesta área é a taiwanesa TSMC. A concorrente Samsung espera lançar a produção desta geração de memória apenas em 2026. A essa altura, a SK Hynix já começará a lançar pilhas HBM4 de 16 níveis.

Mencionando os planos da Samsung de começar a fornecer pilhas HBM3E de 12 camadas na atual metade do ano, um representante da SK hynix observou que os clientes da empresa estão atualmente em maior demanda por pilhas HBM3E de 8 camadas, razão pela qual a empresa está atualmente se concentrando em sua produção. A própria SK hynix está preparada para começar a enviar pilhas HBM3E de 12 níveis no terceiro trimestre.