SK hynix concluiu o desenvolvimento da memória HBM3: módulos de até 24 GB em velocidades de até 819 GB / s

SK hynix anunciou a conclusão do desenvolvimento do primeiro HBM3 DRAM de alta velocidade do mundo. O padrão para essa memória ainda não foi aprovado, mas isso não impediu a criação de um produto próximo ao início da produção em massa.

Fonte da imagem: SK hynix

As DRAMs SK hynix HBM3 podem conter até 12 matrizes de memória empilhadas verticalmente com o controlador na parte inferior da montagem. Provavelmente, a empresa foi ajudada com isso por uma licença relativamente recente adquirida do Xperi para a tecnologia de arranjo extremamente denso de furos por metalização (TSVs). Isso permite que a pilha de DRAM HBM3 da SK hynix tenha uma capacidade de até 24 GB, embora a empresa também fabrique módulos HBM3 de 16 GB. As pilhas HBM2E avançadas anteriores da empresa, lembramos, não continham mais do que 8 cristais de memória. O passo à frente é mais do que perceptível.

O desempenho da nova memória também melhorou significativamente. A taxa total de transferência de dados da interface atinge 819 GB / s, o que é 78% mais rápido do que a memória HBM2E. Na verdade, 163 filmes no formato FHD (Full HD), 5 GB cada, são bombeados pela interface HBM3 a cada segundo. Para placas gráficas de jogos, este seria o sonho final, mas para cargas de trabalho de IA e ML de trabalho, será uma obrigação.

Fonte da imagem: SK hynix

Por fim, os novos módulos implementaram mecanismos que aumentam a confiabilidade da memória. Um código de correção de erro está embutido na matriz que corrige erros de bit nos dados. Para altas velocidades de operação e alta densidade de armazenamento de dados, esta é a condição mais importante para trabalhar com as características declaradas. SK hynix ainda não anunciou o início da produção em massa de HBM3 DRAM, mas este evento não está longe. A indústria de computação intensiva está esperando por essa memória.