\nA SK hynix intensificou o desenvolvimento de DRAM com um layout 3D sobre um chip lógico (3D-Stacked DRAM-on-Logic), projetado para funcionar em equipamentos de próxima geração para sistemas de inteligência artificial, inclusive móveis. A empresa começou a recrutar engenheiros especializados nesta tecnologia através de sua filial americana em San Jose. A SK hynix já firmou acordo com um cliente específico para desenvolver soluções baseadas nesta tecnologia, informa ZDNet.\n\n
\n\nFonte da imagem: skhynix.com\n\nA SK Hynix começou a contratar especialistas pela primeira vez em DRAM de layout 3D – ela será usada em equipamentos de IA de próxima geração; esta etapa é vista como o início dos preparativos para levar a solução ao mercado. O anúncio de emprego esclarece que o trabalho será realizado em estreita colaboração com o cliente norte-americano para a criação conjunta de chips 3D-Stacked DRAM-on-Logic, ou seja, com integração vertical de DRAM diretamente no topo do sistema em um chip. Ao contrário do Package-on-Package (PoP), esse método envolve interconexões mais curtas e mais canais de E/S na mesma área. A latência de transferência de dados é reduzida, a eficiência energética é aumentada e o espaço é usado de forma mais eficiente.\n\nA tecnologia está sendo desenvolvida para sistemas de IA – eles exigem alta largura de banda de memória e baixo consumo de energia, e os recursos dos esquemas PoP tradicionais não são mais suficientes. Os processadores móveis são considerados uma das áreas de aplicação mais promissoras da tecnologia; processos técnicos avançados e tecnologias de embalagem são frequentemente utilizados neste segmento. Os principais desenvolvedores de tais sistemas são Apple e Qualcomm.\n\nAs informações sobre o trabalho no projeto correspondem ao roteiro SK hynix, que a empresa coreana apresentou no simpósio de tecnologia TSMC este ano. O presidente e diretor de desenvolvimento da SK hynix, Hyun Ahn, disse que o desenvolvimento de hardware de IA é dificultado por imperfeições na tecnologia de memória – são necessárias novas arquiteturas que vão além de melhorias incrementais. A empresa coreana, disse ele, em conjunto com a TSMC pretende aplicar lógica avançadaprocessos para os chips HBM4 básicos, expandir a solução para memória flash de alta velocidade (HBF), bem como para um layout DRAM 3D em cima de uma matriz lógica: uma maior integração da memória com a lógica contribuirá para aumentar o desempenho e a eficiência energética.\n\nA Samsung também está conduzindo simultaneamente pesquisas no campo da próxima geração de DRAM 3D. A empresa publicou recentemente um artigo conjunto com imec, KU Leuven e Lam Research – o material é dedicado à arquitetura de DRAM 3D monolítica usando canais de óxido semicondutor. A pesquisa permanece em fase de modelagem; os planos para levar a tecnologia ao mercado ainda não foram anunciados.\n