A Samsung Electronics recebeu confirmação interna de que está pronta para produzir em massa a DRAM de sexta geração. A empresa concluiu o desenvolvimento da avançada tecnologia de processo de 10 nm da classe 1c, segundo o Korea Herald. Isso aproxima a Samsung do lançamento da memória HBM4.
Fonte da imagem: samsung.com
Anteriormente, foi relatado que, durante os testes da tecnologia de processo 1c, a Samsung conseguiu atingir um rendimento de bons produtos na faixa de 50% a 70%. Assim, a fabricante coreana cumpre seu próprio cronograma de troca de gerações de produtos aproximadamente a cada dois anos. Isso é de particular importância para a estratégia da Samsung no campo de memória de alta largura de banda – o lançamento da produção em massa de pilhas HBM4 baseadas em DRAM de sexta geração está previsto para o segundo semestre deste ano.
Em maio, a empresa anunciou que o HBM4 usaria tecnologia de interconexão híbrida para ajudar a reduzir o calor, ao mesmo tempo em que forneceria alta largura de banda de memória, o que ajudará a atender às crescentes demandas de aceleradores de IA e sistemas de computação de alto desempenho.
Atualmente, a SK Hynix, empresa líder em HBM, também está desenvolvendo a HBM4, mas baseada em DRAM de quinta geração. Em março, começou a enviar amostras da HBM4 para seus maiores clientes, com a expectativa de iniciar a produção em massa dessa memória no segundo semestre. A Samsung ainda não obteve aprovação da Nvidia para sua variante HBM4, o que poderia gerar pedidos em grande volume; a fabricante coreana também aguarda a aprovação do HBM3E de 12 camadas, contando com a cooperação da Nvidia e da AMD.