Em 2016, a empresa coreana Samsung Electronics foi a primeira do setor a lançar no mercado os chips de memória HBM de primeira geração para uso no segmento de computação de alto desempenho. Um ano depois, apareceu a memória HBM2 de 8 camadas, mais tarde foram lançados os chips HBM2E e HBM3, e a empresa espera lançar a memória HBM4 em 2025.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

Conforme divulgado no blog corporativo da empresa, ao lançar chips do tipo HBM4, serão utilizadas inovações que visam melhorar as propriedades termodinâmicas desse tipo de produto – ou seja, serão utilizadas soluções para melhor dissipação de calor. Na montagem das pilhas de memória, será utilizado um filme de polímero não condutor, que protege adicionalmente mecanicamente os chips montados uns sobre os outros. O método híbrido de união de cobre combinará condutores de cobre com um isolador de filme de óxido em vez da solda tradicional.

Além disso, como admitem os representantes da Samsung Electronics, no início de 2023 a empresa criou uma divisão que supervisiona métodos avançados de empacotamento de chips. A gigante sul-coreana estará pronta para oferecer aos seus clientes serviços de teste e empacotamento de chips usando métodos 2,5D e 3D, que podem ser solicitados por desenvolvedores de componentes para computação de alto desempenho e sistemas de inteligência artificial.

Entre as suas conquistas tecnológicas, a Samsung inclui também o lançamento de chips RAM DDR5, permitindo a criação de módulos de memória com capacidade de 128 GB, bem como o desenvolvimento de um processo tecnológico de 12 nm nesta área. No futuro, a empresa espera utilizar padrões litográficos mais finos que 10 nm para produzir chips de memória.

No campo da computação de alto desempenho, a tecnologia HBM-PIM também pode encontrar aplicação válida, proporcionando a execução de determinada parte dos cálculos diretamente pelo próprio chip de memória. Neste caso, o desempenho pode ser aumentado em até 12 vezes em comparação com a arquitetura tradicional de chip de memória. Além do HBM, essa arquitetura também será implementada em chips de memória que funcionam com o protocolo CXL.

Os módulos de RAM LPCAMM recentemente introduzidos, segundo representantes da Samsung, podem ser utilizados não só em laptops, mas também em sistemas de servidores, onde sua alta densidade permitirá aumentar a quantidade de RAM utilizada sem necessidade adicional de espaço ocupado. Esses módulos de memória ocuparão 60% menos espaço em comparação com SO-DIMM, enquanto o desempenho aumentará em até 50%. A eficiência energética desses módulos de memória é 70% maior.

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