Samsung pretende certificar memória HBM3E para aceleradores Nvidia AI até novembro

O tópico dos produtos Samsung que atendem aos requisitos da Nvidia para chips de memória dos tipos HBM3 e HBM3E não sai dos feeds de notícias, e novos dados sugerem que o primeiro tipo de memória já recebeu aprovação do cliente, e o segundo deve fazê-lo no próximo quatro meses. No entanto, existe o risco de que este evento tão esperado ocorra já em 2025.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

A Bloomberg relata com renovado vigor as desventuras da Samsung Electronics nesta área. Segundo fontes bem informadas, a Samsung já recebeu aprovação da Nvidia para usar seus chips do tipo HBM3 nos produtos deste desenvolvedor de processadores gráficos, e o primeiro produto com tal combinação de componentes poderia ser o acelerador de computação H20, criado especificamente para os chineses. mercado, tendo em conta as actuais sanções americanas.

Quanto aos chips de memória HBM3E mais modernos da Samsung, a empresa espera certificá-los de acordo com os requisitos da Nvidia em dois ou quatro meses, dependendo da disciplina de desempenho dos funcionários envolvidos e da sorte. Até o final do ano, a Samsung gostaria de fornecer chips HBM3E para as necessidades da Nvidia. Se tudo não correr conforme o planejado, o momento abençoado poderá passar para 2025.

Como você sabe, a menor empresa SK hynix não está apenas à frente da Samsung no ritmo de introdução de novos tipos de memória da família HBM no mercado, mas também controla mais da metade do mercado global para esses chips. Os analistas do Morgan Stanley acreditam que, se conseguir certificar a sua memória de acordo com os requisitos da Nvidia, a Samsung ocupará pelo menos 10% do mercado global no próximo ano, o que lhe permitirá aumentar significativamente as receitas. Os especialistas esperam que a capacidade do mercado global de HBM cresça para US$ 71 bilhões, em relação aos US$ 4 bilhões do ano passado, até 2027. Mesmo que a Samsung esteja um pouco atrás de seus concorrentes agora, a capacidade de produção à sua disposição permitirá que ela se recupere rapidamente e encontre um lugar digno no mercado. o mercado.

Algumas fontes acreditam que até agora a Samsung ficou decepcionada com sua decisão anterior de usar o método TC-NCF com compressão térmica de um filme não condutor para conectar camadas de memória em uma pilha. A SK hynix utiliza um método diferente e a sua quota de mercado na HBM torna difícil duvidar da sua eficácia. Ao mesmo tempo, a Samsung não duvida da demanda pelo método TC-NCF no mercado e não demonstra sua disposição para modificar a tecnologia de combinação de camadas de memória em uma pilha. E ainda assim, fontes afirmam que para obter a aprovação da Nvidia, a gigante sul-coreana modificou a tecnologia HBM3. A empresa produz memórias desse tipo desde o segundo semestre do ano passado.

O HBM3E foi usado pela primeira vez pela Nvidia este ano e atualmente só fornece esses chips da SK Hynix. No próximo ano, o HBM3E terá uma demanda muito maior e a SK hynix simplesmente não será capaz de atender rapidamente às necessidades do mercado, mesmo que cumpra sua promessa de quadruplicar os volumes de produção do HBM3E. A Micron Technology também conseguiu aprovação para o uso de seus chips HBM3E em produtos Nvidia, então apenas a Samsung estava na fila. A empresa está se esforçando para concluir a certificação de chips desse tipo de 8 e 12 camadas de acordo com os requisitos da Nvidia.