Samsung inicia produção em massa de memória QLC V-NAND de 9ª geração para IA

Apenas 4 meses após o lançamento do TLC V-NAND de 9ª geração, a Samsung anunciou o início da produção em massa de memória QLC semelhante, oferecendo ao mercado uma gama mais ampla de soluções avançadas de armazenamento. A nova memória oferece desempenho ideal para uma ampla variedade de aplicações, incluindo cargas de trabalho de inteligência artificial (IA).

Fonte da imagem: Samsung Electronics

A Samsung Electronics anunciou o início da produção em massa da 9ª geração de memória NAND vertical (V-NAND) com quatro bits por célula (Quad Level Cell, QLC) com capacidade de 1 Tbit. “O lançamento bem-sucedido da produção em massa do QLC V-NAND de 9ª geração, apenas quatro meses após a versão TLC, nos permite oferecer uma linha completa de soluções SSD avançadas para atender às necessidades da era da IA”, disse SungHoi Hur, vice-executivo. presidente. -Presidente e Chefe da Divisão de Memória Flash e Tecnologia da Samsung.

A Samsung planeja expandir a adoção do QLC V-NAND de 9ª geração de produtos de consumo de marca para flash universal móvel (UFS), SSDs para PCs clientes e servidores, incluindo soluções para provedores de serviços em nuvem. A nova geração de memória se distingue por uma série de capacidades tecnológicas, ou melhor ainda, por avanços. Assim, o Channel Hole Etching (tecnologia de gravação de canais) da Samsung permitiu atingir o número máximo de camadas da indústria com uma estrutura de dois níveis. Ao fazer isso, aproveitando a experiência adquirida com o desenvolvimento do V-NAND de 9ª geração de célula de nível triplo (TLC), a Samsung otimizou a área de circuito celular e periférico para alcançar uma densidade de bits líder do setor, aproximadamente 86% maior que o QLC V -NAND. da geração anterior.

Além da alta densidade, o QLC V-NAND de nona geração apresenta maior desempenho e confiabilidade graças às tecnologias Designed Mold, Predictive Program e Low-Power Design. A tecnologia Designed Mold ajusta a distância entre as Word Lines (WL) para garantir uniformidade e otimizar o desempenho da célula em todas as camadas. A tecnologia do Programa Preditivo prevê e controla mudanças no estado da célula para minimizar ações desnecessárias. Como resultado, a Samsung conseguiu duplicar a velocidade de gravação e aumentar a velocidade de entrada/saída de dados em 60%, e reduzir o consumo de energia ao ler e gravar dados em aproximadamente 30% e 50%, respectivamente, graças ao uso de Low- Projeto de energia.