A Samsung Electronics anunciou o início da produção em massa de unidades de estado sólido de alto desempenho e RAM de próxima geração para a indústria automotiva.
Fonte da imagem: Samsung
Estamos a falar, em particular, dos módulos flash PCIe Gen3 NVMe no formato BGA (Ball Grid Array) com uma capacidade de 256 GB. Eles são equipados com um controlador proprietário da Samsung. A velocidade declarada de leitura sequencial da informação chega a 2100 MB / s, a velocidade de escrita sequencial é de 300 MB / s.
Além disso, a produção em massa de GDDR6 DRAM e DDR4 DRAM é organizada: a capacidade dos produtos em ambos os casos é de 2 GB. A solução GDDR6 DRAM oferece até 14 Gbps de largura de banda por pino.
Finalmente, o lançamento de drives flash UFS (Universal Flash Storage) com capacidade de 128 GB.
Os novos produtos são direcionados a sistemas avançados de infoentretenimento automotivo e direção autônoma. Os produtos atendem aos requisitos do padrão AEC-Q100, o que significa que podem ser usados em uma faixa de temperatura de -40 a + 105 ° C.