Samsung finalmente aprende a produzir memória HBM3E adequada para chips de IA da Nvidia — certificação a ser concluída no verão

O maior fabricante de memória, a Samsung Electronics, está irremediavelmente atrás de seus dois concorrentes no segmento HBM3E em termos de certificação de seus produtos de acordo com os requisitos da Nvidia. Uma nova onda de rumores dá esperança de que a tão esperada certificação dos produtos Samsung seja concluída no início de junho.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

Foi relatado anteriormente que as pilhas HBM3E de 8 camadas da Samsung passaram pelo procedimento de certificação da Nvidia em dezembro, mas elas só podem ser usadas nos aceleradores desta última marca para o mercado chinês e não chegarão ao mercado ocidental. O próximo passo foi a certificação de pilhas HBM3E de 12 camadas pela Samsung, já que a concorrente Micron Technology está pronta para começar a fornecer memória semelhante para as necessidades da Nvidia nos próximos meses, e a SK Hynix já está fornecendo.

De acordo com o recurso sul-coreano Alpha Economy, após uma visita recente de representantes da Nvidia a uma das empresas da Samsung na Coreia do Sul, o processo de certificação do HBM3E está caminhando para sua conclusão lógica. Pelo menos os inspetores da Nvidia estão satisfeitos com os resultados do trabalho feito pelos especialistas da Samsung para melhorar os chips de memória HBM3E desta marca.

A gigante sul-coreana agora planeja receber a aprovação final para o fornecimento das necessidades da Nvidia até o final de maio ou início de junho deste ano. A propósito, a SK Hynix fornecerá à Nvidia amostras de sua memória HBM3E de 16 camadas neste semestre, então a Samsung ainda tem muito a recuperar.