Na conferência Samsung Tech Day 2022, que voltou ao formato presencial pela primeira vez em três anos, a fabricante coreana falou sobre inovações na área de chips de memória, tanto operacionais quanto permanentes. A empresa já está preparando chips GDDR7 de próxima geração, DDR5 de maior capacidade e LPDDR5X mais rápido. No segmento de memória flash, a empresa pretende aumentar ativamente o número de camadas nos chips e, consequentemente, sua capacidade.
Chefe de Negócios de Memória da Samsung Electronics Zhong Bei Li. Fonte da imagem: news.samsung.com
Em um ano que marca 20 e 30 anos de liderança em NAND e DRAM, respectivamente, a Samsung apresentou chips DRAM de quinta geração na classe 10nm (símbolo 1b), além de demonstrar memória V-NAND de oitava e nona geração – a empresa pretende manter a liderança pelo menos durante a próxima década. Jung-bae Lee, chefe de negócios de memória da Samsung Electronics, observou que desde a fundação da empresa que lhe foi confiada há 40 anos, a empresa produziu um trilhão de gigabytes de RAM, e cerca de metade desse volume foi lançado nos últimos três anos, o que indica ritmo de transformação digital.
A tecnologia 1b DRAM atualmente não está fora de desenvolvimento, mas a produção em massa está programada para 2023. Para superar as limitações existentes, a empresa intensificou as inovações em toda a linha, usando várias soluções, incluindo material High-K. A Samsung também falou sobre os mais recentes desenvolvimentos: chips DDR5 de 32 Gb, módulos LPDDR5X de 8,5 Gb/s e módulos GDDR7 de 36 Gb/s, essas soluções abrirão novas oportunidades no campo de data center e HPC, bem como em dispositivos móveis, jogos e segmentos automotivos. O fabricante coreano também enfatizou a importância de soluções especializadas, incluindo HBM-PIM, AXDIMM e CXL, para otimizar o processamento de dados que cresce exponencialmente.
A tecnologia de memória flash V-NAND da Samsung estreou há cerca de uma década, tendo passado por oito gerações desde então, com um aumento de 10 vezes no número de camadas e um aumento de 15 vezes na densidade de dados. A empresa já está lançando módulos NAND 3D TLC de 512 Gb líderes do setor e enviará seu sucessor de 1 TB até o final do ano. Um V-NAND de nona geração está em desenvolvimento e está programado para produção em massa em 2024. Até 2030, a empresa vai passar a marca de 1000 camadas. Finalmente, à luz do desenvolvimento ativo de tecnologias de inteligência artificial, a Samsung decidiu acelerar a transição para células de memória de quatro bits (QLC).
A Samsung também compartilhou planos agressivos para o mercado de soluções automotivas. A empresa falou sobre suas diversas soluções no mercado de memórias, projetadas para diversas funções automotivas modernas, incluindo sistemas de infoentretenimento (IVI), condução autônoma (AD) e sistemas avançados de assistência ao motorista (ADAS), clusters e gateways para telemática. Desde que entrou no mercado de memória automotiva em 2015, a Samsung cresceu rapidamente e pretende se tornar o maior fornecedor de memória automotiva até 2025.
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