A Samsung está desenvolvendo um novo tipo de memória chamada DRAM Low Latency Wide I/O (LLW), que possui largura de banda muito alta, baixa latência e baixo consumo de energia. A empresa propõe usar a nova memória principalmente em sistemas de inteligência artificial baseados em grandes modelos de linguagem (LLM), embora essa memória também seja adequada para outras cargas de trabalho, inclusive clientes.
A LLW DRAM da Samsung é uma memória de baixo consumo com alta capacidade de E/S, baixa latência e 128 GB/s de largura de banda por módulo (ou pilha), comparável a uma combinação de memória DDR5-8000 e um barramento de 128 bits. Uma das principais características da DRAM LLW da Samsung é o seu baixo consumo de energia de 1,2 pJ/bit, embora a empresa não tenha informado a que taxa de transferência de dados esse valor foi medido.
Embora a Samsung ainda não tenha revelado detalhes técnicos sobre a DRAM LLW, vale lembrar que a empresa vem desenvolvendo memórias com interfaces amplas, como GDDR6W, há algum tempo. É possível que a Samsung esteja combinando a capacidade de vários desses módulos DRAM integrados em um único pacote usando a tecnologia Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) para aumentar a largura de banda da interface e reduzir o consumo de energia.
A Samsung padronizou sua memória GDDR6W no segundo trimestre de 2022 e planejou usá-la em sistemas de inteligência artificial, aceleradores de computação de alto desempenho e PCs clientes. É provável que a DRAM LLW seja usada em dispositivos de computação de ponta para sistemas de inteligência artificial, como smartphones, laptops e possivelmente sistemas automotivos.
A Samsung raramente revela informações sobre quando suas tecnologias promissoras chegarão ao mercado, portanto, o momento do lançamento da LLW DRAM em dispositivos reais ainda não está claro. Mas como a Samsung já divulgou detalhes sobre o desempenho esperado da tecnologia, o desenvolvimento da LLW DRAM provavelmente está quase completo.
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