A Samsung está desenvolvendo um novo tipo de memória chamada DRAM Low Latency Wide I/O (LLW), que possui largura de banda muito alta, baixa latência e baixo consumo de energia. A empresa propõe usar a nova memória principalmente em sistemas de inteligência artificial baseados em grandes modelos de linguagem (LLM), embora essa memória também seja adequada para outras cargas de trabalho, inclusive clientes.

Fonte da imagem: Samsung

A LLW DRAM da Samsung é uma memória de baixo consumo com alta capacidade de E/S, baixa latência e 128 GB/s de largura de banda por módulo (ou pilha), comparável a uma combinação de memória DDR5-8000 e um barramento de 128 bits. Uma das principais características da DRAM LLW da Samsung é o seu baixo consumo de energia de 1,2 pJ/bit, embora a empresa não tenha informado a que taxa de transferência de dados esse valor foi medido.

Embora a Samsung ainda não tenha revelado detalhes técnicos sobre a DRAM LLW, vale lembrar que a empresa vem desenvolvendo memórias com interfaces amplas, como GDDR6W, há algum tempo. É possível que a Samsung esteja combinando a capacidade de vários desses módulos DRAM integrados em um único pacote usando a tecnologia Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) para aumentar a largura de banda da interface e reduzir o consumo de energia.

A Samsung padronizou sua memória GDDR6W no segundo trimestre de 2022 e planejou usá-la em sistemas de inteligência artificial, aceleradores de computação de alto desempenho e PCs clientes. É provável que a DRAM LLW seja usada em dispositivos de computação de ponta para sistemas de inteligência artificial, como smartphones, laptops e possivelmente sistemas automotivos.

A Samsung raramente revela informações sobre quando suas tecnologias promissoras chegarão ao mercado, portanto, o momento do lançamento da LLW DRAM em dispositivos reais ainda não está claro. Mas como a Samsung já divulgou detalhes sobre o desempenho esperado da tecnologia, o desenvolvimento da LLW DRAM provavelmente está quase completo.

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