Samsung cria protótipo de pilha de memória HBM de 16 camadas para futuros aceleradores de IA

A Samsung anunciou que produziu uma amostra de uma pilha de memória HBM de 16 camadas – que será usada na transição para a memória HBM4. Amostras de pré-produção dessas pilhas aparecerão em 2025 e a produção em massa começará em 2026.

Fonte da imagem: samsung.com

A criação de uma pilha HBM de 16 cristais com conexão híbrida foi anunciada pelo vice-presidente da Samsung, Kim Dae-woo, relata TheElec. Este chip foi fabricado de acordo com o padrão HBM3, mas uma solução semelhante será utilizada em produtos HBM4 de maior desempenho. Esperava-se que a Samsung usasse uma conexão híbrida para apenas uma ou duas matrizes, mas a empresa acabou aplicando esse método a todas as dezesseis.

Uma amostra da pilha de 16 camadas foi fabricada em equipamentos da Semes, subsidiária da Samsung. A Samsung estava considerando usar um composto híbrido ou filme não condutor de compressão térmica (TC-NCF) para a memória HBM4, cujos testes começarão em 2025, e a produção em massa começará em 2026, explicou o Sr.

Nos chips HBM3E, a Samsung utiliza a tecnologia TC-NCF, e a conexão híbrida promete ser mais eficiente, pois permite adicionar mais camadas de forma compacta, sem conexões TSV (Through Silicon Via).