Samsung constrói a primeira DRAM GDDR6 de 24 Gb da indústria

A Samsung Electronics anunciou o início das remessas de teste dos primeiros chips de memória DRAM Graphics Double Data Rate 6 (GDDR6) do setor, fornecendo largura de banda de 24 Gb / s.

Fonte da imagem: Samsung

Os produtos são fabricados com a tecnologia HKMG (High-K Metal Gate), que foi usada pela primeira vez na memória Samsung GDDR6 em 2018. À medida que as estruturas DRAM encolhem, a camada de isolamento torna-se mais fina, resultando em mais fuga de corrente. A substituição do isolador por material HKMG reduz o vazamento e melhora o desempenho.

Os novos chips GDDR6 da Samsung oferecem desempenho aproximadamente 33% mais rápido do que as soluções de 18 Gb/s da geração anterior.

A memória será usada na próxima geração de aceleradores gráficos, incluindo computadores portáteis, inteligência artificial e sistemas de computação de alto desempenho, consoles de jogos, etc.

Os chips anunciados são fabricados usando um processo de fotolitografia ultravioleta profundo (EUV) de classe de 10 nanômetros (1z). A nova família de chips GDDR6 da Samsung também apresentará opções de baixo consumo de energia para ajudar a prolongar a vida útil da bateria do laptop.