A Samsung prometeu apresentar amostras da memória RAM LPDDR6 na CES 2026, que estreará em produção em massa um ano depois. Os novos chips serão fabricados usando uma tecnologia de processo de 12 nm e fornecerão taxas de transferência de dados de até 10,7 Gbps por contato. Essa memória de última geração será usada em dispositivos móveis, sistemas de borda de alta carga e aplicações de inteligência artificial.
Fonte da imagem: ces.tech
A JEDEC descreve o LPDDR6 no padrão JESD209-6. Este novo design de memória apresenta uma arquitetura com dois subcanais por chip, cada um com 12 linhas de dados. Cada subcanal implementa seu próprio conjunto de sinais de comando e endereço. Essa configuração mantém uma granularidade de 32 bytes, ao mesmo tempo que preserva uma alta largura de banda efetiva do canal. São suportados comprimentos flexíveis de pacotes de dados de 32 a 64 bytes.
A principal vantagem do LPDDR6 é o aumento de 21% na eficiência energética — em velocidades comparáveis, o novo design de memória opera com uma tensão menor que o LPDDR5. Ele possui duas fontes de alimentação VDD2 independentes, suporta escalonamento dinâmico de tensão e frequência (DVFS) e um modo de eficiência dinâmica, que permite que a memória seja limitada a um único subcanal sob cargas leves.
Diversos recursos de segurança estão incluídos. Os chips possuem um contador de ativação de linha, que impede o vazamento de carga em células adjacentes durante acessos frequentes; suportam áreas protegidas com acesso limitado; e possuem um sistema de código de correção de erros (ECC) integrado diretamente no chip. Além disso, conta com um sistema de verificação de paridade (CA Parity), proteção do canal de comunicação e um sistema de autoteste integrado à memória (MBIST).
Ainda é cedo para dizer quais famílias de processadores darão suporte à memória de próxima geração — a Intel e a AMD ainda não se pronunciaram sobre o assunto.