Samsung apresenta memória flash UFS 4.0 para smartphones – até 1 TB e velocidades de até 4200 MB/s

A Samsung Electronics anunciou o desenvolvimento dos módulos de memória flash Universal Flash Storage (UFS) 4.0, projetados para uso em smartphones poderosos com suporte para comunicações móveis de quinta geração (5G). Novos itens têm uma largura de banda muito alta e, consequentemente, a taxa de transferência de dados.

Fonte da imagem: Samsung

Os produtos Samsung UFS 4.0 fornecem taxa de transferência de até 23,2 Gbps por pista. Isso é o dobro em comparação com os chips UFS 3.1.

Os novos módulos flash são baseados na memória Samsung V-NAND de sétima geração e em um controlador proprietário. A velocidade declarada de leitura sequencial de informações atinge 4200 MB/s, a velocidade de gravação sequencial é de 2800 MB/s. Obtenha 2x o crescimento de leitura das soluções UFS 3.1 e 1,6x o crescimento de gravação.

Além disso, os indicadores de eficiência energética foram melhorados. Em particular, comparado ao UFS 3.1, o consumo de energia para leitura de dados foi reduzido em 46%. Devido a isso, a vida útil da bateria dos smartphones aumentará.

A Samsung iniciará a produção em massa de módulos UFS 4.0 no terceiro trimestre deste ano. Os produtos serão produzidos em diferentes opções de capacidade – até 1 TB.