Samsung apresenta a primeira memória DDR5 de 12nm do mundo – mais rápida, mais eficiente e menor do que antes

A Samsung Electronics anunciou o desenvolvimento da primeira DRAM DDR5 da classe de 12nm da indústria. A nova memória ajudará a impulsionar aplicativos de computação, data centers e inteligência artificial de última geração. Tudo isso garante o desempenho líder da indústria da nova memória, maior eficiência de energia e um tamanho de matriz reduzido, o que aumentará o rendimento do chip de cada wafer.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

O chip de memória DDR5 de 12nm é um chip de 16Gb. A taxa de troca de dados para cada contato é de 7,2 Gbps. Nessa velocidade, levará apenas um segundo para o chip processar dois filmes 4K de 30 GB. Ao mesmo tempo, o consumo de memória de 12 nm é reduzido em 23% em comparação com a memória da geração anterior, o que será muito perceptível em matrizes de memória normalmente grandes para aplicativos de IA, aprendizado de máquina e Big Data.

O que é importante, a diminuição do processo técnico de produção de memória e, consequentemente, a diminuição do tamanho físico de cada célula de memória não levou ao aumento dos erros de leitura e gravação. Auxílio neste novo material com uma alta constante dielétrica (high-κ), que evita o vazamento de carga da célula. A Samsung também fala sobre o uso de algumas tecnologias de design patenteadas que melhoram o desempenho de circuitos críticos.

No geral, a empresa está se preparando para lançar a memória DDR5 com a maior densidade de armazenamento do setor. Portanto, o assunto não poderia ter sido feito sem o uso de scanners EUV. “Deep ultraviolet” finalmente deu um grande passo na indústria de memória de computador. Como resultado, a Samsung poderá obter 20% mais chips por wafer de silício do que antes. A empresa começará a produção em massa de chips DDR5 de 12nm em 2023. A compatibilidade com processadores AMD já foi verificada, o que foi confirmado pelos responsáveis ​​da empresa.

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