No Hot Chips 33, a Samsung anunciou a criação do primeiro módulo de memória DDR5-7200 de 512 GB do mundo. De acordo com o fabricante sul-coreano, o novo produto oferece desempenho e velocidade significativamente maiores, além do dobro da memória em comparação com a memória DDR4.
Fonte da imagem: Samsung
Na produção do módulo DDR5-7200 de 512GB, a Samsung usou uma pilha de oito camadas de cristais DDR5, combinada com a tecnologia 3D TSV (através do silício via), caracterizada por conexões de ponto aleatório entre as camadas.
Apesar do layout de oito camadas dos chips DDR5, a altura do chip acabado no pacote é de apenas 1,0 mm contra 1,2 mm para o DDR4. Usando novas tecnologias de camadas, a empresa conseguiu reduzir a lacuna entre os cristais de memória em até 40%, o que reduziu a altura de toda a pilha.
Durante a apresentação, a Samsung também anunciou que aplicou a tecnologia Same Bank Refresh na produção do módulo de memória DDR5-7200. Sua peculiaridade é que enquanto alguns bancos de memória podem realizar atualizações, outros bancos podem estar ocupados com quaisquer outras operações. Além disso, o fabricante cancelou um aumento de 10% no desempenho do barramento de memória e anunciou o suporte para circuitos adicionais de equalização de feedback de decisão (DFE) que melhoram a qualidade do sinal – eles reduzem o ruído refletido nos canais de memória em altas frequências, o que é muito importante ao usar um grande número de DIMMs e canais DDR5.
O novo módulo de memória DDR5-7200 opera com uma voltagem de apenas 1,1 V, enquanto a voltagem padrão para DDR4 é 1,2 V. Consulte também Tecnologia de obturador High-K Metal. Também é observado que a memória DDR5 suporta a tecnologia On-Die Error Correction Code (ODECC).
A memória DDR5 apresentada pela Samsung será destinada a centros de dados. Os módulos DDR5 de consumidor provavelmente serão menores – até 64 GB por suporte. A Samsung planeja iniciar a produção em massa de módulos de memória de 512 GB DDR5-7200 até o final deste ano. O fabricante acredita que a transição massiva para o novo padrão de RAM não acontecerá antes de 2023-2024.