A Samsung anunciou o início das remessas de amostras de cartões de memória SD Express microSD de 256 GB, que possuem velocidades de leitura altíssimas de até 800 MB/s. Além disso, a fabricante anunciou o início da produção em massa de cartões de memória microSD de até 1 TB com interface UHS-1.
A Samsung observa que os cartões de memória microSD clássicos com interface UHS-1 fornecem uma velocidade média de leitura de 104 MB/s. Para os cartões SD Express, por sua vez, a velocidade de leitura sequencial foi aumentada para 985 MB/s, porém, tais soluções não estavam disponíveis na forma de produtos comerciais até recentemente.
Com suporte para a interface PCIe 3.0 x1, os mais recentes cartões de memória microSD Samsung SD Express são capazes de competir com SSDs SATA. Sua velocidade de leitura sequencial chega a 800 MB/s, o que é 1,4 vezes mais rápido que os SSDs SATA III convencionais (até 560 MB/s) e mais de quatro vezes mais rápido que os cartões de memória UHS-1 de maior desempenho (até 200 MB). /Com). A tecnologia Samsung Dynamic Thermal Guard, usada nos mais recentes cartões de memória microSD Samsung SD Express, é responsável por seu desempenho e confiabilidade, otimizando as temperaturas operacionais sob cargas prolongadas.
Por sua vez, os cartões de memória Samsung SD microSD UHS-1 de 1 TB que entraram em produção em massa consistem em oito camadas de 1 terabyte de memória V-NAND de 8ª geração. Durante a produção, esses cartões de memória passam por rigorosos testes de durabilidade e recebem seis recursos de proteção: resistência à água, resistência a temperaturas extremas, resistência a quedas, resistência ao desgaste, resistência aos raios X e resistência magnética.
Os mais recentes cartões de memória SD Express microSD de 256 GB da Samsung com velocidades de leitura de até 800 MB/s estarão disponíveis ainda este ano. O início das remessas de cartões de memória Samsung SD microSD UHS-1 com capacidade de 1 TB está previsto para o terceiro trimestre de 2024.
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