Samsung admitiu que seus chips dram “10-nm classe” são produzidos em processamento técnico acima de 14 nm

Entre os usuários, é costumeiro ironizar toda a série de “vantagens” com a designação do processo de 14 nm Intel. Mas a recusa dos fabricantes de memória para indicar processos técnicos para chips Dram parece ser uma vítima maior de guerras de marketing. Fabricantes de memória Onze anos escondem figuras precisas de máquinas de saída de memória, mas a verdade às vezes aparece e chove.

Pela primeira vez na transição para as “classes” com a designação do processo de fabricação de processos, ouvimos em abril de 2010. Então a Samsung introduziu o conceito de “20-NM Class”, indicando isso em conexão com o anúncio da nova memória NAND. Aconteceu, aparentemente, pelo motivo pelo qual o processo técnico da Samsung começou a ficar por trás dos concorrentes. Logo depois de Samsung seguiu o resto dos fabricantes, e só ouvimos isso sobre as gerações de memória 20-NM e, mais tarde, aulas de 10 nm.

A memória da classe 10-nm está disponível desde 2013. O que uma memória é de 19-Nm, 17-Nm ou menos – foi possível aprender apenas de fontes não oficiais. Segundo rumores, Micron avançou em todas as escadas de padrões tecnológicos. Ela supostamente foi capaz de estabelecer em Taiwan, seja a produção de 14 nm de DRAM, seja de 13 nm. Além disso, em janeiro deste ano, Micron atingiu a indústria como trovão, afirmando que a produção experiente de chips de memória com as normas na “parte inferior do processo técnico de 10 nm”. Isso significava que o primeiro começou a produzir DRAM com as normas 13 nm ou menos.

Uma declaração semelhante foi desafiada pelo líder do mercado de DRAM da Samsung, e seus representantes não poderiam ser silenciosos por um longo tempo. No outro dia, em uma conferência trimestral, um dos gerentes seniores Samsung admitiu que a memória DRAM com os padrões de 14 nm sob o nome do código D1A começará a ser liberada mais adiante no ano atual (mais provável na segunda metade do ano ). Esse reconhecimento foi o primeiro em 11 anos, que em si enfatiza o tempo da luta competitiva no mercado DRAM.

De acordo com analistas, Samsung foi importante dar a entender os investidores que ela está ficando ligeiramente atrasada para trás Micron na fabricação da produção de chips DRAM. Além disso, por uma série de coisas, ela está a seriamente à frente do Micron. Por exemplo, a Micron para a produção de DRAM ainda usa scanners de 193 nm, enquanto a geração de memória Samsung D1a será lançada principalmente usando scanners de 13,5 nM EUV. Mas o fato continua sendo um fato: na classe de 10 nm de produtos de DRAM da Samsung, o centro de gravidade estava no extremo da escala.