Pode levar mais alguns meses para a Samsung iniciar remessas em massa de memória HBM3E de 12 camadas

Liderando o mercado global como fornecedor global de memória, a sul-coreana Samsung Electronics está sofrendo com a concorrência da SK hynix no segmento HBM de rápido crescimento, já que ainda não consegue fornecer os mais recentes chips HBM3E para as necessidades da Nvidia. Segundo alguns relatos, a Samsung precisará fazer alterações no design desses chips, o que levará até seis meses.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

De acordo com a ZDNet, a Samsung está tendo problemas para produzir não apenas o chip base para as pilhas de memória HBM3E, mas também os próprios chips DRAM que o formam. O fato é que a empresa inicialmente pretendia utilizar a tecnologia 1α com diversas camadas processadas em litografia EUV. Em última análise, isto deveria tornar os chips de memória mais baratos, mas a Samsung não conseguiu atingir um nível consistente de qualidade na sua produção. A Micron e a SK hynix preferem manter a tecnologia de processo 1β mais madura, sendo esta última limitada a uma única camada de matriz que é processada usando EUV. No caso da Samsung, o número chega a cinco, o que cria problemas de produção.

A Samsung está agora discutindo a possibilidade de alterar o design de seus chips DRAM, que formam a pilha HBM3E, a fim de melhorar os níveis de rendimento. Se essas mudanças no processo de produção forem decididas, elas poderão levar até seis meses para serem implementadas, e então a Samsung não poderá começar a enviar HBM3E compatível com Nvidia até o segundo trimestre do próximo ano. Fontes relatam incidentalmente que representantes da Nvidia visitaram as instalações da Samsung onde são produzidas pilhas HBM3E de 8 camadas, e os resultados da inspeção revelaram que elas são até 10% inferiores em desempenho a produtos similares da SK hynix e Micron.