Os primeiros protótipos da memória HBM4E da Samsung estarão prontos no próximo mês.

Para a Samsung Electronics, é crucial garantir sua posição no mercado de HBM4E, fornecendo aos principais clientes amostras dessa memória que atendam a todos os requisitos técnicos em tempo hábil. A Samsung espera receber as primeiras amostras de HBM4E com as especificações necessárias já no próximo mês, antes do prazo previsto.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

O design do HBM4E inclui um cristal lógico, que forma a base de uma pilha de chips DRAM. A Samsung terceirizará a produção para uma unidade de fabricação por contrato, com o cristal correspondente previsto para estar pronto em meados de maio. Após testar as amostras de HBM4E internamente, a Samsung as enviará à Nvidia para avaliação.

A Samsung demonstrou oficialmente amostras de HBM4E em março deste ano, na conferência de desenvolvedores GTC 2026. É geralmente aceito que essas amostras não eram funcionais e destinavam-se apenas a fins de demonstração. A Samsung tornou-se a primeira das três principais fabricantes de memória a anunciar o início dos envios da memória HBM4, que deve chegar ao mercado antes da HBM4E. A empresa coreana planeja fabricar o cristal base para HBM4E usando um processo de 4 nm e os chips DRAM na pilha usando um processo de 10 nm (1c) de sexta geração, o que também deve lhe dar uma vantagem sobre seus concorrentes. A Samsung começará a usar um processo de 4 nm para a produção do chip base com o chip HBM4.

A SK hynix, que depende da TSMC para a produção dos chips base, tentará acelerar a transição para tecnologias mais avançadas. Para o processo de produção do chip HBM4, planeja combinar um processo de 12 nm para o chip base e um processo de 10 nm de quinta geração (1b) para os chips DRAM na pilha. Acredita-se que, para o chip HBM4E, a TSMC fabricará o chip base usando um processo de 3 nm.Segundo alguns relatos, a Nvidia está ligeiramente atrasada em relação ao cronograma inicial para o lançamento no mercado da geração de aceleradores Vera Rubin e Rubin Ultra, que utilizarão HBM4 e HBM4E, e, portanto, para a produção em massa.A adoção desses tipos de memória também está atrasada, mas, em todo caso, a Samsung não quer ceder sua posição para os concorrentes nessa área.