Os finlandeses ensinarão os fabricantes de NAND 3D a produzir chips de densidade recorde

Pesquisadores da Universidade da Universidade de Linköping receberam uma patente para a tecnologia de melhoros orifícios de metais na produção de memória de camadas múltiplas, em particular 3D NAND. Graças ao seu desenvolvimento, o preenchimento de orifícios com o material ocorrerá uniformemente ao longo da profundidade, o que também aumentará a densidade de sua localização e, portanto, o número de células de memória criadas em torno delas em cada camada do chip.

Fonte da imagem: Universidade de Linkoping

Os cientistas explicam claramente a relevância e a escala do problema no exemplo do edifício mais alto do arranha-céu mundial dos 828 metros do Burge-Halphus em Dubai. Se levarmos em consideração que a proporção do diâmetro do orifício para metalização na memória de várias camadas e sua profundidade é de 1: 100 (diâmetro-100 nm, profundidade-10.000 nm), a base do Burgit-Halif em um Escala semelhante deve ser de apenas 8 metros. Na prática, é de 191 metros, mas a complexidade da tarefa é compreensível – é necessário preencher um buraco extremamente profundo uniformemente ao longo de todo o comprimento, pois em cada local de contato com a próxima camada é criada uma célula de memória, é criada, E o casamento não é permitido aqui.

A maneira mais fácil de alcançar o preenchimento uniforme das aberturas pelo material foi reduzir a temperatura no momento de seu depoimento na fase de vapor, o que poderia levar ao casamento. No entanto, os cientistas finlandeses propuseram uma abordagem diferente: nesse estágio (inicial), eles adicionaram um forte gás neutro de xenônio na quarta -feira. É relatado que o resultado excedeu a expectativa. Graças ao Xenon, não era necessário reduzir a temperatura, e suas moléculas pesadas ajudaram a encher uniformemente os orifícios com o material no fundo. Esse é o potencial óbvio para um aumento adicional na densidade das células da memória.

«Ainda não sabemos como isso realmente funciona. Acreditamos que o xenônio gasoso ajuda a “empurrar” as moléculas para o buraco. Foi o curso engenhoso do meu estudante de graduação Arun Haridas Chulalakkal. Ele estudou algumas fórmulas básicas de gases e apresentou uma hipótese de que isso deve funcionar. Juntos, realizamos uma série de experimentos para verificar e realmente funcionou ”, disse o gerente de projeto Henrik Pedersen.

Os desenvolvedores receberam uma patente por sua abertura na Finlândia e a venderam para uma das empresas locais, que já começou a obter patentes internacionais.