\nCientistas da Universidade Fudan, em Xangai, criaram uma memória experimental não volátil na qual um único elétron, o menor portador possível de carga elétrica, é suficiente para armazenar um bit. Para comercializar este desenvolvimento será criada uma empresa que pretende colocar o produto no mercado dentro de três a cinco anos.\n\n
\n\nFonte da imagem: Universidade Fudan\n\nO empreendimento é chamado Guiyi (“Guyi”), que significa o conceito budista de “Unidade” – uma imensa multidão em algo extremamente pequeno. Uma publicação sobre o projeto foi publicada no dia 16 de julho na revista Science. A memória proposta pelos cientistas é desproporcionalmente mais densa do que as opções modernas de memória flash. Hoje, cada bit de dados é armazenado em uma carga composta por centenas de milhares de elétrons.\n\nO principal obstáculo à memória de elétron único continua sendo a chamada capacitância de borda parasita. O campo eletromagnético entre dois eletrodos não pode ser ideal e sempre leva ao acúmulo de uma carga parasita, em cujo ruído a carga de um elétron é facilmente perdida. Para suprimir fenômenos parasitários, os cientistas usaram materiais bidimensionais atomicamente finos e desenvolveram uma arquitetura planar autocompensadora em que o dreno, o canal e a fonte são colocados no mesmo plano. Essa arquitetura “unida” suprimiu os efeitos capacitivos de borda, e a camada de grafeno serviu como uma barreira que impedia que o elétron capturado saísse da área de armazenamento.\n\nA adição ou remoção de apenas um elétron em uma célula de memória alterou imediatamente a tensão limite do transistor em 0,5 V, graças ao qual os dois estados da célula puderam ser distinguidos de forma confiável por meios convencionais da eletrônica moderna. Isto é quase uma ordem de grandeza maior do que o famoso experimento de 1997, onde o sinal de um único elétron era de cerca de 55 mV e durou menos de cinco segundos. Ao mesmo tempo, a nova célula manteve um estado sem energia à temperatura ambiente. Os autores também descobriram dependências discretas na tensão de programação e prometeram desenvolver uma varianteescrita multinível usando um único elétron.\n\nA escrita de elétron único promete aumentar drasticamente a densidade da memória não volátil e reduzir a energia gasta na comutação de células. Os desenvolvedores estão vinculando a tecnologia a futuros sistemas de computação nos quais grandes modelos de inteligência artificial serão capazes de armazenar mais dados perto das unidades de computação, reduzindo a transferência de dados que consome muita energia.\n\nAtualmente, apenas um dispositivo de laboratório separado foi demonstrado. Para criar um array de memória completo, ainda precisamos confirmar o recurso de reescrita, a velocidade, a porcentagem de células utilizáveis e a estabilidade dos parâmetros durante a produção em massa. Para promover comercialmente o desenvolvimento, será criada uma empresa separada neste outono, que pretende lançar o novo produto no mercado dentro de três a cinco anos.\n