Em novembro do ano passado, a empresa chinesa YMTC anunciou o início da produção em massa de memória QLC 3D NAND de 232 camadas, à frente de concorrentes como Kioxia e SK Hynix. Até a Micron Technology, com a sua memória TLC 3D NAND de 232 camadas, está ligeiramente atrás da sua rival chinesa, que há muito está sob sanções dos EUA. Esta semana surgiram evidências de que a memória avançada do YMTC já está sendo usada em SSDs de produção.
Fonte da imagem: TechInsights
A mesma empresa TechInsights, que no final do verão obteve evidências da presença de processadores HiSilicon Kirin de 7 nm em smartphones Huawei da família Mate 60, publicou na semana passada um relatório sobre o estudo do estado sólido ZhiTai Ti600 de 1 TB drive lançado em julho sem muita publicidade. Esta unidade usa memória YMTC QLC 3D NAND de 232 camadas. Segundo os especialistas da TechInsights, estes chips de memória proporcionam a maior densidade de armazenamento de informação entre todos os chips fornecidos ao mercado em quantidades comerciais, nomeadamente 19,8 Gbit/mm2.
Como vocês sabem, a YMTC conseguiu avançar nesta área através do uso da tecnologia Xtacking 3.0, que permite a formação de chips de memória 3D NAND com tantas camadas. As empresas concorrentes Micron e Solidigm (Intel) estão apenas desenvolvendo memória QLC 3D NAND de 232 camadas, e a primeira já possui TLC 3D NAND de 232 camadas em seu arsenal, mas é inferior à solução YMTC em termos de densidade de armazenamento de dados devido a o uso de três bits por célula em vez de quatro.
O maior fabricante de memória Samsung Electronics abandonou o desenvolvimento da memória QLC 3D NAND de 236 camadas na oitava geração, concentrando-se em chips QLC e TLC de nona geração. A SK hynix é especializada em memória TLC 3D NAND, que também é inferior aos produtos YMTC em termos de densidade de armazenamento de dados em um determinado estágio. Acontece que a empresa chinesa conseguiu, sob condições de sanções, lançar a produção de memória avançada QLC 3D NAND, superando todos os rivais em termos de densidade de armazenamento de informação.
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