O tipo de memória chinês HBM2 não começará a ser produzido antes do próximo ano

Os líderes na indústria de memória HBM são as empresas sul-coreanas SK hynix e Samsung Electronics, que juntas controlam aproximadamente 96% deste mercado, com a primeira seriamente à frente da segunda no segmento avançado HBM3E. A empresa chinesa CXMT está tentando produzir HBM2 de forma independente, mas as sanções americanas a impedem de fazer isso e, portanto, a produção em massa de memória chinesa desse tipo não será dominada até 2025.

Fonte da imagem: CXMT

É o que dizem os analistas, cuja previsão é citada pelo South China Morning Post. Especialistas da TechInsights explicam que a memória da classe HBM usada pelos desenvolvedores chineses de aceleradores de computação vem da sul-coreana SK hynix e da Samsung Electronics, já que a americana Micron Technology, que está sob sanções na China, não pode participar dessa cadeia de fornecimento.

Os esforços da CXMT da China para desenvolver métodos de produção de HBM atraíram a atenção dos reguladores dos EUA, e as sanções contra a empresa estão a aumentar e está a tornar-se cada vez mais difícil para a empresa manter-se no caminho certo. As tentativas de iniciar a produção do HBM como carro-chefe da indústria chinesa vêm sendo feitas desde 2023, mas se limitam principalmente à fase experimental e ao registro de patentes necessárias à organização da produção. Segundo representantes do Morgan Stanley, a CXMT está colaborando com um dos players chineses no mercado de embalagens e serviços de teste de chips, o que é completamente natural.

Juntas, as duas empresas chinesas depositaram cerca de 100 pedidos de patentes relacionados às tecnologias de memória HBM desde 2022. De acordo com analistas da TechInsights, a CXMT será capaz de estabelecer a produção em série do HBM2 não antes de 2025, e o nível de rendimento de produtos adequados não excederá 30% e, portanto, essa memória permanecerá não apenas escassa, mas também muito cara. Sob sanções, a CXMT só tem acesso a equipamentos que lhe permitem trabalhar com processos técnicos de 17 nm e 18 nm, enquanto os concorrentes estrangeiros já entraram na faixa abaixo de 10 nm. Ao mesmo tempo, a CXMT já é capaz de controlar 11% da capacidade mundial de produção de memória DRAM nos últimos dois anos e quase quadruplicou seus volumes de produção;

A sul-coreana SK hynix, que conquistou o direito de ser considerada líder de mercado, lançou sua memória HBM2 em 2018 e lançou o chip HBM de primeira geração como o primeiro do mundo em 2013. Há dois meses, a empresa lançou o HBM3E de 12 camadas, que é o mais avançado do setor no momento. No próximo ano, essa memória se tornará a mais comum no segmento dos atuais aceleradores computacionais. Os fabricantes chineses, neste sentido, estão pelo menos duas gerações atrás deles, mesmo que falemos sobre as suas capacidades de forma puramente teórica.