O Japão desenvolveu uma memória flash que é capaz de armazenar 7 bits por célula

A empresa japonesa Floadia desenvolveu uma memória flash que permite gravar 7 bits de dados em uma célula, bem como armazená-los por 10 anos em temperaturas de até 150 ° C. Para efeito de comparação, os drives flash modernos presumem que não mais do que 4 bits são gravados em uma célula.

Fonte da imagem: floadia.com

O desenvolvimento foi baseado na tecnologia SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon), criada para microcontroladores, para a qual foram feitas algumas modificações. A empresa mudou a estrutura das camadas de retenção de carga usando filme Ono, além disso, a estrutura da célula e do controlador de armazenamento mudou. Conforme os desenvolvedores esclareceram, sem fazer todas essas alterações, 7 bits em uma célula foram mantidos por no máximo 100 segundos.

A atual tecnologia de memória flash 3D QLC NAND no mercado assume 4 bits por gravação de célula e um “fator de segurança” de cerca de 1000 ciclos de regravação em temperatura normal. Inicialmente, a tecnologia Floadia SONOS oferece um maior número de ciclos de regravação (até 100.000 vezes) e a capacidade de armazenar dados por um período mais longo (até 10 anos). Mas há uma nuance. Destina-se a microcontroladores que não requerem grandes quantidades de dados e são fabricados com base em processadores tecnológicos desatualizados (55-350 nm). Como resultado, a densidade da memória do drive é inferior às tecnologias modernas tradicionais, a velocidade dos módulos também é baixa.

No entanto, a nova tecnologia Floadia pode ser utilizada em soluções que envolvam computação em memória – a empresa pretende usar a invenção em aceleradores para sistemas de inteligência artificial, nos quais fornecerá melhor desempenho do que as soluções atuais. A Floadia tradicionalmente licencia sua tecnologia para fabricantes interessados. Não está claro se a empresa será capaz de refinar sua tecnologia para uso em chips de memória 3D NAND tradicionais.