No Reino Unido, eles desenvolveram seu próprio ReRAM e estão adaptando-o à produção

Como sugere o site Blocks & Files, a empresa britânica Intrinsic Semiconductor Technology desenvolveu uma tecnologia proprietária para a produção de memória embarcada ReRAM. Para adaptação à produção em substratos de silício de 300 mm, a tecnologia foi transferida para o centro belga Imec. Alega-se que o processo de fabricação para o lançamento de arrays ReRAM foi levado para os padrões de 50 nm, e a memória promete uma combinação de alta velocidade e não volatilidade.

Um quadro da apresentação do desenvolvedor mostrando a estrutura e operação de uma célula ReRAM. Fonte da imagem: Tecnologia de semicondutores intrínsecos

A Intrinsic surgiu do trabalho de dois cientistas da University College London (UCL): Professor Anthony Kenyon e Dr. Adnan Mehonic. Em 2017, ambos se aposentaram da ciência e fundaram a Intrinsic. No entanto, as raízes não foram completamente arrancadas. Em março de 2021, a empresa recebeu dinheiro para continuar o trabalho do braço de investimentos da faculdade e do Grupo IP: um total de 1,35 milhão de libras (US$ 1,8 milhão). Isso possibilitou a conclusão de um acordo com o centro Imec para adaptar a tecnologia de produção de arrays ReRAM em substratos de 300 mm dentro do processo CMOS.

A memória ReRAM intrínseca é baseada na tecnologia amplamente utilizada de saturação reversível da célula de memória com íons de oxigênio. Tal memória, por exemplo, é levada à produção em massa pela empresa israelense Weebit Nano, em conjunto com o instituto francês CEA/Leti. E se o Weebit Nano conseguiu o lançamento de arrays ReRAM em wafers de 300 mm usando uma tecnologia de processo de 28 nm, o Imec e os britânicos estão caminhando para os padrões tecnológicos de 50 nm e, aparentemente, ainda não têm amostras viáveis. Em qualquer caso, a Intrinsic não pode fornecer nenhuma característica numérica de protótipos de memória ReRAM proprietária.

No entanto, você pode ter certeza de que a Imec e a Intrinsic levarão a tecnologia de produção ReRAM à perfeição. As indústrias de IA, IoT e eletrônica futura podem se beneficiar de mais uma opção de memória não volátil que será tão rápida quanto a SRAM.