No ano passado, a Samsung e a SK Hynix investiram quase US$ 1 bilhão na expansão da produção de memória na China.

Mesmo sob a presidência de Biden, o governo dos EUA tentou limitar a capacidade dos fabricantes de memória sul-coreanos de modernizar e expandir suas instalações na China, responsáveis ​​pela maior parte da produção destinada ao mercado global. No entanto, a Samsung e a SK Hynix conseguiram manter o acesso a equipamentos de produção de memória nos EUA, ao mesmo tempo em que investiam na modernização de suas fábricas na China.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

Como observa o Business Korea, a Samsung Electronics investiu pelo menos US$ 344 milhões no ano passado na modernização de sua fábrica em Xi’an, na China, um aumento de 67,5% em relação ao ano anterior. Essa fábrica é a única unidade de produção de chips de memória NAND da Samsung no exterior, responsável por até 40% de seu volume de produção global. Vale ressaltar que os investimentos da Samsung na fábrica chinesa têm sido esporádicos; após investir US$ 464 milhões em 2019, a empresa não forneceu apoio financeiro significativo por quatro anos. Em 2024, a empresa destinou US$ 184 milhões para a fábrica e, no ano passado, aumentou esse valor em 67,5%.

A concorrente SK hynix investiu mais de US$ 663 milhões em suas instalações na China no ano passado, operando uma fábrica de DRAM em Wuxi e adquirindo uma fábrica de NAND 3D em Dalian da Intel. A primeira unidade recebeu o dobro do investimento do ano passado, atingindo US$ 190 milhões, enquanto a segunda recebeu US$ 293 milhões, 50% a mais do que o investimento de 2024. Pela primeira vez desde 2022, quando a SK hynix adquiriu a fábrica da Intel em Dalian, a empresa teve que investir mais de US$ 660 milhões em sua base de produção na China. Em moeda sul-coreana, esse valor representa um significativo 1 trilhão de won. Em meio ao boom da IA, a memória tornou-se um recurso escasso, e as principais empresas sul-coreanas estão aumentando ativamente sua produção.

A Samsung planeja iniciar a produção de memória 3D NAND de 236 camadas na China, substituindo sua atual tecnologia de 128 camadas.Considerando que a Samsung planeja iniciar sua própria produção em seu país de origem ainda este ano,Se a SK Hynix estabelecesse a produção de memória de 400 camadas, a tecnologia de 236 camadas, que está alguns passos atrás, poderia encontrar espaço na China, dada a política do país de restringir o desenvolvimento tecnológico. A fábrica de DRAM da SK Hynix em Wuxi também fará a transição da terceira para a quarta geração do processo de 10 nm (1a), permitindo a produção lucrativa de chips DDR5 no local. Essa fábrica chinesa responde por mais de 30% da produção global de DRAM da empresa.