É geralmente aceito que a produção de memória HBM, que envolve a integração tecnicamente complexa de várias camadas de chips de silício, está ao alcance apenas de empresas avançadas e de grande porte, e não de todas. Isso não impediu a Nanya Technology e a Etron de formarem uma joint venture com foco no desenvolvimento de memória HBM para uma ampla gama de aplicações.
Fonte de Imagem: Nanya Technology
O vetor geral da nova joint venture, como observa a TrendForce em referência à TechNews, é o desenvolvimento de memória de alta velocidade para computação de ponta. O desenvolvimento de sistemas de inteligência artificial implica que alguma computação intensiva deve ser realizada em um dispositivo de ponta, de modo que a demanda por memória de alta velocidade não será ditada apenas pela infraestrutura de servidores. Na esperança de se beneficiar dessa tendência, a Nanya Technology e a Etron criaram uma joint venture que desenvolverá esse nicho de mercado. Os parceiros investirão cerca de US$ 16,7 milhões no capital da joint venture, com 80% das ações destinadas à Nanya, proporcionalmente ao volume de investimento.
Os parceiros esperam lançar os novos tipos de memória HBM até o final do próximo ano. Os chips correspondentes encontrarão aplicação em PCs, smartphones, robótica e eletrônica automotiva. Representantes da Nanya relataram anteriormente que a empresa não tentará competir com os fabricantes de HBM3 ou HBM3E, mas sim se concentrará no desenvolvimento de tipos de memória mais especializados. A Formosa Advanced Technologies deverá integrar a memória HBM para atender às necessidades da Nanya.