Fujio Masuoka é mais conhecido como o criador da memória flash NAND, na qual trabalhou na Toshiba na década de 1980. Recentemente, sua empresa Unisantis revelou seu novo desenvolvimento, que pode se tornar uma alternativa para DRAM.
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Como parte do International Memory Workshop deste mês, um documento foi apresentado no qual os desenvolvedores delinearam as perspectivas para a criação de memória flash dinâmica DFM (Dynamic Flash Memory) baseada em transistores com portas circundantes (Surround Gate Transistor). Este novo tipo de memória se assemelha ao NAND Flash, mas oferece uma densidade maior do que a DRAM.
É importante notar que no momento já existem tecnologias que podem ser utilizadas para criar uma alternativa à memória DRAM. O problema é que esses chips tendem a ser bastante caros de fabricar, especialmente quando comparados aos chips DRAM.
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O DFM está agora em um estágio teórico, embora a Unisantis tenha calculado que fornecerá quatro vezes a densidade da DRAM. A empresa está atualmente procurando parceiros para refinar a tecnologia e passar para o estágio de criação de um protótipo físico completo do chip de memória DFM. Obviamente, levará anos até que um novo tipo de memória seja colocado em produção em massa, mas o primeiro passo já foi dado.