Ao contrário dos principais fabricantes de semicondutores, como Intel e TSMC, a Micron tem demorado a implantar equipamentos ultravioleta ultra-rígidos (EUV) para produção de DRAM. Mas este ano a Micron pretende lançar a produção piloto usando EUV em sua tecnologia de processo de 10 nm classe 1γ (1-gama), relata a Technews.
Fonte da imagem: micron.com
Agora todos os produtos seriados da empresa são produzidos em litografia DUV, ou seja, com base na radiação ultravioleta profunda. Mas até ao final do ano, a Micron lançará a produção piloto utilizando equipamento EUV e, em 2025, poderá atingir a escala total. Em 2020, a coreana Samsung informou que havia enviado com sucesso um milhão dos primeiros módulos DDR4 de classe de 10 nm (D1x) da indústria produzidos em equipamentos EUV. A SK Hynix começou a usar essa litografia em 2021 para produzir chips DDR de classe de 10 nm; e este ano pretende gastar US$ 1,5 bilhão na compra desses equipamentos.
Anteriormente, o CEO da Micron, Sanjay Mehrotra, disse aos investidores que a preparação da produção piloto baseada na tecnologia de processo classe 1γ de 10 nm está progredindo bem, e o lançamento da produção em massa de produtos de nova geração está planejado para 2025. A tecnologia de produção de memória DRAM usando 1γ está sendo desenvolvida na fábrica da empresa em Hiroshima, no Japão – o empreendimento será o primeiro local de produção piloto.
Para atender à alta demanda por chips de memória de alto desempenho impulsionada pelo boom da IA, a Micron está construindo uma linha piloto de produção HBM nos Estados Unidos e considerando lançar uma segunda linha na Malásia.