Micron apresenta memória UFS 4.0 para smartphones com velocidades de até 4300 MB/s

A Micron apresentou seus primeiros dispositivos de armazenamento UFS 4.0. Os membros mais rápidos da série fornecerão velocidades de leitura sequencial de até 4300 MB/s e velocidades de gravação de até 4000 MB/s, tornando-os os módulos de memória UFS de maior desempenho até hoje, de acordo com a Micron. A Micron espera que suas unidades de ultrabaixo consumo UFS 4.0 apareçam nos principais smartphones, tablets e laptops este ano.

Fonte da imagem: Micron

A linha de novas unidades UFS 4.0 da Micron vem em três capacidades – 256 GB, 512 GB e 1 TB. Todos eles são equipados com controladores de produção própria da Micron. Os produtos mais caros de 512 GB e 1 TB usam chips de memória flash 3D TLC NAND de 1 TB e 232 camadas com uma arquitetura de seis matrizes que fornecem velocidades sequenciais de leitura e gravação de até 4.300 e 4.000 MB/s, respectivamente. O dispositivo de 256 GB é um pouco mais lento, pois é baseado na memória NAND com uma arquitetura quad-array. O número de matrizes reflete o número de campos de dados funcionando separadamente – quanto mais houver, mais rápida será a memória.

Os novos módulos de armazenamento da Micron são totalmente compatíveis com a especificação UFS 4.0 e usam duas pistas do protocolo M-PHY Gear 5 de baixo nível para transferência de dados. Além disso, eles oferecem suporte a recursos proprietários do controlador, como Data Stream Separation (separa dados usados ​​com frequência de dados raramente usados ​​para otimizar a coleta de lixo em segundo plano), Auto Read Burst (melhora o desempenho de leitura usando a desfragmentação do dispositivo após uso prolongado) e Eye Monitoring (monitoramento Integridade do Sinal).

A Micron diz que, além de maior desempenho, os módulos Micron UFS 4.0 são 25% mais eficientes em termos de energia. O uso de chips NAND TLC 3D de 232 camadas de alta capacidade também permite que a Micron torne seus módulos UFS 4.0 bastante finos. A empresa diz que sua espessura não excede 0,8-0,9 mm, o que permitirá aos fabricantes de dispositivos móveis tornar seus produtos mais finos ou instalar uma bateria maior.

«A mais recente solução móvel da Micron entrelaça firmemente nossa melhor tecnologia UFS 4.0, controlador de baixa potência patenteado, memória NAND de 232 camadas e arquitetura de firmware altamente configurável para oferecer desempenho incomparável”, disse Mark Montierth, gerente geral da unidade de negócios móveis da Micron.

A Micron está atualmente testando suas unidades UFS 4.0 com os principais fabricantes de smartphones e planeja iniciar a produção em massa no segundo semestre do ano.