A Kioxia anunciou o início dos testes de seus pendrives Universal Flash Storage (UFS) 4.1. A memória foi projetada para funcionar em dispositivos móveis de última geração, incluindo smartphones modernos com inteligência artificial — os componentes oferecem alto desempenho e eficiência energética em um encapsulamento BGA.
Fonte da imagem: Kioxia
Os módulos Kioxia UFS 4.1 combinam a inovadora memória flash BiCS FLASH 3D e um controlador em um encapsulamento compatível com JEDEC. Eles utilizam a memória Kioxia BiCS FLASH 3D de oitava geração, que implementa a tecnologia CBA (CMOS Direct Bonded to Array), que envolve a conexão direta do circuito CMOS ao conjunto de células de memória. Isso proporciona um aumento significativo na eficiência energética, no desempenho e na densidade.
A memória Kioxia UFS 4.1 está disponível em capacidades de 256 GB, 512 GB e 1 TB. A velocidade de gravação aleatória para chips de 512 GB e 1 TB aumentou 30%; a velocidade de gravação aleatória para chips de 512 GB — 45%, e para chips de 1 TB — 35%. A eficiência energética na leitura de dados para chips de 512 GB e 1 TB aumentou 15%; na gravação para os mesmos chips — 20%.
Duas soluções também foram adicionadas para otimizar a operação dos dispositivos de armazenamento integrados: a coleta de lixo pode ser iniciada pelo sistema host, em vez do componente de memória, para que a operação geral do dispositivo não fique lenta durante o processo; é possível alterar o tamanho do buffer WriteBooster, o que pode ajudar a obter melhor desempenho. Por fim, o fabricante conseguiu reduzir a espessura do chip de 1 TB.