DDR5 em chips chineses quebram no mercado – eles são ligeiramente inferiores aos chips SK Hynix e Samsung, mas são mais baratos

O fabricante de memória chinês Changxin Memory Technologies (CXMT) estabeleceu recentemente a produção em massa de chips DDR5. Agora, a arquitetura deles foi estudada por especialistas em TechInsights: de acordo com analistas, Samsung, SK Hynix e Micron estão à frente dos chineses por três anos. No entanto, os fabricantes de componentes já estão se preparando para a propagação dessa memória – o MSI lançou a atualização do BIOS para placas -mãe endereçadas a consumidores chineses otimizados para a memória CXMT.

Fonte da imagem: cxmt.com

Para estudar, os especialistas em TechInsights escolheram a produção de Gloway de duas pranchas de 16 GB DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) nos chips de 16 gigabit CXMT. O chip possui dimensões de 8,19 × 8,18 mm, que fornece uma área de 66,99 mm² e uma densidade de 0,239 gbit/mm²; O cristal é selado. O cristal é feito usando a nova tecnologia CXMT G4, que fornece o tamanho do elemento de 16 nm e uma célula com uma área de 0,002 μm μm – seu tamanho diminuiu em 20 % em comparação com a solução com base no G3 anterior ( 18 nm) tecnologia. A etapa da célula é de 29.8, 41,7 e 47,9 nm para a linha ativa, bem como as linhas da linha de palavras e da linha de bits – a geração D1Z (15,8–16,2 nm) realizada por Samsung, Sk Hynix e os mesmos indicadores . A saída de produtos adequados no CXMT é de 80 %, o que é um indicador muito alto.

A seguir, a fonte de imagens: TechInsights.com

Anteriormente, a CXMT emitiu DRAM usando suas próprias tecnologias G1 (D2Y, 23,8 nm) e G2 (D1X, 18,0 nm). Os líderes de mercado representados pela Samsung, SK Hynix e Micron agora estão mudando para a tecnologia de 12 a 14 nm usando a radiação ultravioleta super set (EUV), que é inacessível aos fabricantes chineses devido às sanções americanas. Washington proibiu o CXMT de usar equipamentos com tecnologias americanas e fornecer seus produtos nos Estados Unidos. A Samsung, para comparação, reduziu o tamanho do cristal para 6,46 × 7,57 mm, que corresponde a uma área de 48,90 mm² e significa uma vantagem em 40 % antes do CXMT. Isso não impediu o fabricante chinês de recuperar os líderes mundiais na densidade dos chips e atuar como um concorrente completo, oferecendo preços menores. Agora, sua variedade inclui chips DDR3L (2 e 4 Gbit), DDR4 (4 e 8 Gbit), LPDDR4X (6 e 8 Gbit), LPDDR5 (12 gbit) e agora DDR5 (16 Gbit).

Os chips CXMT DDR5 já foram lançados em módulos de memória de Gloway e Kingbank-eles são mais baratos que os análogos nos chips SK Hynix, embora ofereçam TAIMS mais alto CL36-36-36-80 e CL36-40-40-96. A RAM chinesa é completamente compatível com as plataformas modernas. O MSI, em particular, lançou o Mag B860 Tomahawk Wi-Fi, Mag B860M Wi-Fi e Pro B860M-A Wi-Fi ao preço de 1699 Yuan (US $ 235), 1499 Yuan ($ 180) e US $ 180 ($ 180) e 1299 yuan) e a última atualização do BIOS fornece otimização para os chips CXMT DDR5, o recurso de hardware do Tom chamou a atenção.

Samsung, SK Hynix e Micron produziram chips usando a tecnologia de 16 nm em 2021, e hoje eles mudaram para D1A/D1B/D1β com elementos de 12-14 nm. Isso indica uma quebra tecnológica de três anos entre os líderes de mercado e o CXMT, mas o fabricante chinês está avançando ativamente: ele perdeu a tecnologia de 17 nm (D1Y), de 18 nm imediatamente para 16 nm (D1Z) e agora está trabalhando ativamente na tecnologia da próxima geração – menos de 15 nm e sem litografia de Euv; A memória do tipo HBM também é dominada.