Embora a China e Taiwan demonstrassem o campeonato no campo do desenvolvimento da tecnologia DDR5 RAM e já apareceram fotos dos primeiros módulos seriados, os Estados Unidos não estão muito atrás desta corrida. A empresa americana crucial também demonstrou seus primeiros módulos de memória, e ambos no formato UDIMM para PC e SO-DIMM para laptops.
Ambos os outros módulos operam a uma frequência de 4800 MHz em uma tensão de 1,1 V. Nas fotos apresentadas, o módulo SO-DIMM tem mais chips de memória e tem capacidade para 32 GB, enquanto a barra de desktop é distinguida por um 8 GB . Os atrasos CAS são expressos pelo valor de 40 ciclos de relógio de barramento de memória (CL40), que, em geral, é característico dos primeiros módulos DDR5 da onda.
A tecnologia DDR5 promete não apenas o crescimento da frequência eficiente até 10 GHz e acima, e, ao mesmo tempo, a largura de banda maior, mas também garantirá um aumento na eficiência energética, oferecendo menor tensão por padrão. Nos módulos são controladores de energia integrados para reduzir as perdas e interferência de corrente, que devem aumentar o potencial de overclock. Além disso, até mesmo uma prancha pode funcionar no modo de dois canais.
AMD e Intel preparam suas plataformas com suporte DDR5. A julgar pelos vazamentos anteriores, a 12ª geração Intel Core Series sob o nome do código do Lago Alder suportará a memória de DDR5-4800 no chipset Z690. A AMD está desenvolvendo uma arquitetura ZEN4 que pode usar o potencial DDR5.