Chips de memória STT-MRAM ultraconfiáveis ​​de capacidade recorde apresentados

Para aviação e espaço, foi iniciada a produção de chips de memória discreta STT-MRAM com capacidade de 1 Gbit (128 MB). Esta é uma memória magnetorresistiva muitas vezes mais densa do que o sugerido anteriormente. A densidade real das células de memória STT-MRAM aumentou 64 vezes quando falamos sobre os produtos da empresa Micross, que produz enchimento eletrônico ultraconfiável para as indústrias aeroespacial e de defesa.

As informações em uma célula MRAM são armazenadas como magnetização de camada

Os microcircuitos STT-MRAM Micross são baseados na tecnologia da empresa americana Avalanche Technology. A empresa Avalanche foi fundada em 2006 por Petro Estakhri, um nativo da Lexar e Cirrus Logic. Além do Avalanche, Everspin e Samsung tiveram sucesso no desenvolvimento de versões comerciais do STT-MRAM. O primeiro trabalha em colaboração com a GlobalFoundries e se concentra na produção de STT-MRAM embutido e discreto com padrões tecnológicos de 22 nm, e o segundo (Samsung) ainda está lançando o STT-MRAM na forma de blocos de 28 nm embutidos em controladores. A propósito, a Samsung apresentou a unidade STT-MRAM com capacidade de 1 Gbit há quase três anos.

O mérito do Micross pode ser considerado o lançamento de um STT-MRAM discreto de 1 Gbit, que pode ser facilmente usado na eletrônica em vez do NAND-flash. STT-MRAM opera em uma faixa de temperatura mais ampla (-40 ° C a 125 ° C) com ciclos de reescrita virtualmente infinitos. Não tem medo de radiação e temperaturas extremas e pode armazenar dados em células por até 10 anos, sem falar em velocidades mais rápidas de leitura e gravação e menor consumo de energia.

Em conclusão, lembre-se que o STT-MRAM armazena dados em células na forma de magnetização. Esse efeito foi descoberto em 1974 durante o desenvolvimento de discos rígidos na IBM. Mais precisamente, foi descoberto o efeito magnetorresistivo, que serviu de base para a tecnologia MRAM. Muito mais tarde, foi proposto alterar a magnetização da camada de armazenamento usando o efeito da transferência de spin do elétron (momento magnético). Portanto, a abreviatura STT foi adicionada ao nome de MRAM. A transferência de spin é a base para o direcionamento da spintrônica na eletrônica, que reduz bastante o consumo de chips devido às correntes extremamente baixas no processo.