A tecnologia 3D DRAM ajudará a aumentar drasticamente a quantidade de chips de RAM, mas não aparecerá em breve

Até agora, a capacidade dos chips de RAM atingiu valores impressionantes, mas cada vez mais memória é necessária para análises e tarefas de IA. O arranjo plano usual das células DRAM não pode salvar a situação – a tecnologia de processo não acompanha o crescimento dos requisitos de capacidade. A solução pode ser o arranjo vertical de células DRAM como 3D NAND.

À esquerda estão os arranjos DRAM planares convencionais e à direita o arranjo vertical das células (os longos tubos cinza são capacitores). Fonte da imagem: Monolithic3D

Alega-se que as células de inversão estão sendo desenvolvidas por fabricantes individuais de RAM. É verdade que nenhum deles respondeu à pergunta da fonte sobre o trabalho nessa tecnologia. Ao mesmo tempo, a ampla adoção do 3D NAND nos permite esperar que os fabricantes tenham se aprofundado o suficiente na tecnologia de fabricação de chips de memória multicamadas para transferir experiência para a produção de DRAM monolítica multicamadas.

Obviamente, o lançamento de NAND multicamadas e DRAM multicamadas são duas coisas diferentes. A célula RAM armazena dados (carga) em um capacitor relativamente grande controlado por um único transistor. Quanto mais refinada for a tecnologia do processo, mais comprido será o capacitor. Se as células DRAM forem colocadas de lado (colocadas verticalmente), os capacitores irão muito para o lado. O benefício de tal arranjo será somente se muitas camadas forem feitas.

Agora, os fabricantes de DRAM continuam a aumentar a densidade das células de memória, reduzindo os padrões de produção tecnológica. A tecnologia Planar resistirá por algum tempo, inclusive devido à transição para os scanners EUV, mas esse recurso se esgotará rapidamente, e a necessidade de memória não. Portanto, é razoável esperar um aumento nos volumes de DRAM devido ao arranjo vertical das células.