A SK Hynix vangloriou-se do sucesso no desenvolvimento de DRAM 3D – o rendimento de produtos adequados na linha experimental excedeu 50%

Numa conferência de tecnologia em março deste ano, a Samsung Electronics disse que espera produzir DRAM 3D em massa até o final da década. A SK hynix, encorajada por seu sucesso na produção de HBM, informou recentemente que sua produção piloto de DRAM 3D está atingindo uma taxa de rendimento de 56%.

Fonte da imagem: SK Hynix

Lembremos que a memória do tipo HBM utilizada no segmento de computação de alta velocidade na interpretação tradicional possui layout 2,5D, e um layout tridimensional completo deve ser oferecido pela memória DRAM 3D, que atualmente está sendo desenvolvida por todos três dos maiores fabricantes de RAM: Samsung Electronics, SK hynix e Micron Technology.

De acordo com a Business Korea, a SK hynix anunciou progresso intermediário no desenvolvimento de memória DRAM 3D no simpósio VLSI 2024 na semana passada. A empresa já pode produzir microcircuitos de cinco camadas com rendimento de 56,1%, o que é bastante elevado para a fase inicial de produção de um novo tipo de produtos semicondutores. Conforme observado, as características dos protótipos DRAM 3D geralmente não são inferiores às dos chips com layout plano tradicional.

É claro que ainda há muito trabalho a ser feito para criar condições para a produção de DRAM 3D em grandes quantidades. As amostras existentes dessa memória, segundo representantes da SK Hynix, não são estáveis ​​​​em termos de desempenho e, em termos de adequação para produção em massa, faz sentido contar com a criação de chips de memória com número de camadas de 32 a 192 peças.