A transição para a produção litográfica de memória usando scanners EUV promete reduzir o custo de produção, mas o próprio processo de transição está associado a uma série de problemas tecnológicos. Esses problemas geralmente eram resolvidos pelos engenheiros da Samsung. O SK Hynix parece estar atrasado nesse processo, mas promete começar a usar os scanners EUV em chips DRAM no próximo ano.
Vista da construção da planta M16 da SK Hynix
Segundo fontes sul-coreanas, para acelerar o estudo de todos os aspectos relacionados ao uso de scanners EUV na produção de memória, um grupo de trabalho especial TF EUV (força-tarefa EUV) foi estabelecido na SK Hynix há algum tempo. O grupo é liderado pelo vice-presidente da empresa Jung Tae-woo, cuja especialidade é a produção litográfica de semicondutores. É ele quem é creditado com o sucesso no desenvolvimento da DRAM de 10nm. Ele também foi encarregado de criar um processo de liberação de memória usando a tecnologia de processo EUV.
De acordo com os planos anunciados anteriormente, os chips DRAM com padrões de 1α (alfa) nm serão os primeiros a serem produzidos com scanners EUV de 13,5 nm. Provavelmente, será condicionalmente honesto 13 ou 14 nm em relação ao espaçamento das linhas condutoras no cristal. Para liberar memória usando scanners EUV, a empresa está preparando uma linha de produção na planta M16 em construção em Icheon. Esta instalação deverá ser comissionada no primeiro semestre do próximo ano e provavelmente será a primeira a começar a produzir memória SK Hynix usando litografia EUV.
Segundo os especialistas, embora o SK Hynix fique atrás da Samsung no uso de scanners EUV, ele tem o potencial, o conhecimento e a experiência para introduzir rapidamente novas tecnologias de memória e não ficar muito atrás da concorrência. Além disso, a empresa-mãe SK Group está comprando ativamente produtores de matérias-primas EUV no país e nos países vizinhos para garantir que a SK Hynix tenha um fornecimento ininterrupto de matérias-primas e materiais em mercados instáveis.
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