A SK hynix desenvolveu a memória mais rápida do mundo – HBM3E com velocidade de 1,15 TB / s

A SK hynix anunciou que desenvolveu a memória HBM3E, a próxima geração de memória de acesso aleatório de alta velocidade (DRAM) para computação de alto desempenho e, em particular, para o campo da IA. Essa memória, segundo a empresa, é a de maior desempenho do mundo e atualmente está sendo revisada e testada pelos clientes da SK hynix.

Fonte da imagem: news.skhynix.com

HBM (High Bandwidth Memory) é uma memória de alta velocidade, que é uma pilha de vários chips DRAM conectados verticalmente, o que proporciona um aumento significativo na velocidade de processamento de dados em comparação aos chips DRAM convencionais. HBM3E é uma versão melhorada da memória HBM3 de quinta geração que substitui as gerações anteriores: HBM, HBM2, HBM2E e HBM3.

A SK hynix enfatiza que o desenvolvimento bem-sucedido do HBM3E foi possível graças à experiência da empresa adquirida como a única produtora em massa do HBM3. O HBM3E está programado para iniciar a produção em massa no primeiro semestre do próximo ano, solidificando a posição de liderança da empresa no mercado de memória AI.

De acordo com a SK hynix, o novo produto não apenas atende aos mais altos padrões da indústria em velocidade, um parâmetro de memória essencial para tarefas de IA, mas também em outras categorias, incluindo capacidade, dissipação de calor e usabilidade. O HBM3E é capaz de processar dados em velocidades de até 1,15 TB/s, o que equivale a transferir mais de 230 filmes completos em resolução Full HD de 5 GB cada por segundo.

Além disso, o HBM3E tem uma dissipação de calor 10% melhor graças à avançada tecnologia Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). A nova memória também fornece compatibilidade com versões anteriores, o que permitirá que ela seja usada em aceleradores existentes que foram criados no HBM3.

«Temos um longo histórico de colaboração com a SK hynix em memória de alta largura de banda para soluções avançadas de computação acelerada. Esperamos continuar nossa colaboração com a HBM3E para criar a próxima geração de computação de IA”, disse Ian Buck, vice-presidente de hiperescala e computação de alto desempenho da NVIDIA.

Sungsoo Ryu, chefe de planejamento de produtos DRAM da SK hynix, enfatizou que a empresa fortaleceu sua posição no mercado expandindo sua linha de produtos HBM, que está em destaque devido ao desenvolvimento da tecnologia AI.