A Samsung planeja expandir significativamente o escopo do MRAM. Isso, de acordo com fontes da rede, disseram representantes da divisão Samsung Foundry no evento Semicon Coreia.
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MRAM, ou Magnetoresistive Random Access Memory, é uma memória magnetorresistiva de acesso aleatório. As informações no MRAM são armazenadas usando momentos magnéticos, não cargas elétricas.
Os produtos MRAM não são voláteis, o que significa que podem armazenar dados sem energia. A tecnologia magnetorresistiva subjacente oferece alta escalabilidade e desempenho superior.
Na primavera de 2019, a Samsung lançou a produção em massa de memória magnetorresistiva incorporada eMRAM baseada no processo FD-SOI de 28 nm (Fully Depleted Silicon on Insulator). Em comparação com os chips flash embutidos, as soluções eMRAM são mais eficientes em termos de energia e cerca de 1000 vezes mais rápidas (o eMRAM não exige um ciclo de apagamento antes de gravar os dados).
Anteriormente, foi dito que o eMRAM está focado nas áreas da Internet das Coisas e inteligência artificial. Agora, a Samsung anunciou sua intenção de usar o MRAM em muitas outras áreas. Entre eles estão dispositivos vestíveis, eletrônicos automotivos, memória gráfica, cache de baixo nível, etc.