A Samsung já está desenvolvendo o HBM5, que contará inclusive com cristais de 2nm.

A confiança da direção da Nvidia na capacidade da Samsung Electronics de produzir memória HBM4 de alta qualidade foi confirmada este mês por uma foto conjunta do fundador da Nvidia e representantes da Samsung. Jensen Huang, em pé diretamente sobre uma pastilha de silício contendo chips HBM4, classificou a memória como “incrível”. Enquanto isso, a Samsung já está desenvolvendo as memórias HBM5 e HBM5E.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

Informações relevantes foram publicadas na semana passada pelo site sul-coreano Business Korea. No caso da HBM5 da Samsung, o chip base para a pilha de memória será fabricado usando tecnologia de 2 nm, enquanto a HBM5E utilizará chips DRAM fabricados com o processo de 10 nm de sétima geração, convencionalmente designado como “1D”. A Samsung já firmou um acordo com a Nvidia para fabricar processadores Groq 3 especializados usando tecnologia de 4 nm em suas instalações de fabricação terceirizada. Han Jin-man, chefe da divisão de produtos da Samsung, enfatizou que o processo de 4 nm da empresa “não é de forma alguma medíocre”.

Essa declaração foi feita por um representante da Samsung Electronics no evento GTC 2026, realizado pela Nvidia na Califórnia para seus parceiros. Considerando que a diretoria da concorrente SK hynix também foi convidada para a conferência em San Jose, é difícil imaginar uma ilustração melhor da importância dos fornecedores coreanos de HBM na percepção da Nvidia.

Representantes da Samsung explicaram que a HBM5 será fabricada internamente usando um processo de 2 nm, especificamente para o chip base. Os chips DRAM na pilha HBM5 serão produzidos usando o processo de 10 nm de sexta geração (1c). Tecnicamente, este último já é usado para produzir chips DRAM na pilha HBM4; ele será simplesmente adaptado para a HBM5. A principal inovação será o uso do processo de 2 nm próprio da Samsung para o chip base. No caso da HBM4, a Samsung produz o chip base usando tecnologia de 4 nm. A Samsung conseguiu superar seus concorrentes com o início do fornecimento de HBM4 para a Nvidia.O HBM5E será fabricado utilizando uma variante mais recente da tecnologia de processo 1D de 10nm, no caso dos cristais.A pilha DRAM será baseada em um chip base fabricado usando o mesmo processo de 2 nm. Claramente, as atualizações escalonadas do processo para a produção de HBM permitem que a Samsung mitigue os riscos tecnológicos. A Samsung está confiante de que a demanda pelo processo de 4 nm crescerá significativamente em um futuro próximo, já que ele é usado para fabricar chips base HBM4.

Em relação à startup Groq, recentemente adquirida pela Nvidia, a capacidade da Samsung de fabricar seus chips é facilmente explicada: as duas empresas já colaboravam desde 2023, antes do acordo, com a Samsung participando do desenvolvimento de chips LPU. Durante a fase pré-aquisição, a Nvidia concluiu que o processo de 4 nm da Samsung era adequado às necessidades da empresa, então decidiu não trocar de fornecedor para os chips da Groq. A produção em massa começará entre o terceiro e o quarto trimestres deste ano. Espera-se uma forte demanda pelos chips Groq 3 a partir do próximo ano. Na GTC 2026, o CEO da Nvidia também assinou um wafer de silício contendo chips Groq 3, chamando-os de “super-rápidos”.