A Samsung foi a primeira a lançar o HBM4 em produção – para aceleradores Nvidia Vera Rubin.

Não é segredo que a parceria da Samsung Electronics com a Nvidia no segmento HBM3E não tem ido bem. A Samsung teve dificuldades para certificar seus produtos dessa família de acordo com os requisitos da Nvidia, mas não conseguiu estabelecer remessas em massa e desbancar a SK Hynix. Agora, a Samsung afirma ter se antecipado aos concorrentes ao iniciar as remessas comerciais de HBM4 para seus clientes.

Fonte da imagem: Samsung Electronics

Como explica a Bloomberg, os clientes não foram nomeados, mas é fácil supor que a Nvidia seja o mais importante. Após esses anúncios, as ações da Samsung Electronics subiram 7,6% hoje, atingindo um novo recorde histórico. A gigante coreana terá que competir por um lugar na cadeia de suprimentos de HBM4 da Nvidia com a SK Hynix, bem como com a empresa americana Micron, que recentemente negou rumores de problemas na certificação de seus produtos para a Nvidia.

Todos os três fornecedores precisam garantir o fornecimento de chips HBM4 para a Nvidia, já que eles serão necessários para a produção de aceleradores da geração Vera Rubin e sistemas de servidores baseados neles. Espera-se que os envios em massa desses sistemas comecem este ano, portanto, os contratados da Nvidia precisam da memória adequada agora.

Em outubro passado, representantes da SK hynix anunciaram que começariam a fornecer chips HBM4 aos clientes já no quarto trimestre, mas que os envios em larga escala só seriam possíveis em 2026. Segundo representantes da Samsung, a produção comercial de HBM4 foi possível graças a uma vantagem sobre os concorrentes em tecnologias de litografia. A empresa utiliza tecnologias de processo mais avançadas (10 nm Classe 1c) para produzir não apenas os chips DRAM na pilha HBM4, mas também os chips base, que são fabricados com tecnologia de 4 nm. Ao contrário da SK hynix, que depende da TSMC para isso, a Samsung pode fabricar os chips base internamente.

O diretor de tecnologia (CTO) da Samsung, Jaehyuk Song, declarou esta semana: “Estamos demonstrando mais uma vez as verdadeiras capacidades da Samsung. Embora talvez ainda não tenhamos demonstrado completamente a Samsung que atende às necessidades dos clientes por tecnologia de classe mundial, vocês verão que retornaremos a esse nível com o tempo.”

Um comunicado de imprensa da Samsung afirma que sua memória HBM4 é capaz de taxas de transferência de dados de até 13 Gbps, com uma velocidade estável de 11,7 GB/s. A Samsung afirma que o rendimento da HBM4 atingiu níveis estáveis. Tecnicamente, a HBM4 é capaz de transferir dados 1,22 vezes mais rápido que a HBM3E por pino. Levando em consideração as mudanças no layout e na arquitetura, a vantagem aumenta para 2,7 vezes por pilha de memória. A taxa máxima de transferência de dados da HBM4 atinge 3,3 TB/s.

O layout de 12 camadas permite pilhas de memória com capacidades que variam de 24 a 36 GB. No futuro, a Samsung planeja oferecer pilhas de 16 camadas com capacidades de até 48 GB. A empresa projetou o chip base HBM4 para alta eficiência energética. Isso foi aprimorado em 40% por meio do uso de novos métodos de interconexão entre camadas e layout otimizado para reduzir o consumo de energia. Comparado ao HBM3E, a eficiência de dissipação de calor foi aprimorada em 30% e a resistência térmica foi reduzida em 10%. No geral, a Samsung espera triplicar as vendas de todos os tipos de HBM atuais este ano. A empresa já está preparada para começar a enviar amostras de HBM4E para seus clientes no segundo semestre do ano.clientes, e no próximo ano ofereceremos versões personalizadas dessa memória.