Segundo a publicação sul-coreana The Elec, os principais fabricantes de memória iniciaram o “desenvolvimento preliminar” da memória DDR6 de próxima geração. Samsung, SK Hynix e Micron já teriam entrado em contato com fornecedores de wafers para preparar projetos, mesmo que o padrão JEDEC para memória DDR6 ainda não tenha sido aprovado.
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O relatório afirma que os fornecedores estão trabalhando com dados de projeto incompletos, incluindo informações preliminares sobre a espessura da memória, a estrutura do wafer e a fiação. O objetivo é preparar amostras de teste antes que o DDR6 entre em produção em massa.
“Empresas de memória e fabricantes de wafers normalmente iniciam o desenvolvimento conjunto mais de dois anos antes do lançamento de um produto. O desenvolvimento preliminar do DDR6 começou recentemente”, disse um representante de um fabricante de wafers ao The Elec.
Espera-se que o DDR6 ofereça um aumento significativo de velocidade em relação ao DDR5. De acordo com um roteiro JEDEC publicado anteriormente, as velocidades do DDR6 podem atingir 17,6 Gbps, aproximadamente o dobro do limite superior do DDR5. Esse aumento se deve à nova arquitetura do DDR6 com quatro subcanais de 24 bits, o que exige abordagens totalmente novas para garantir a integridade do sinal. Em comparação, o DDR5 usa dois subcanais de 32 bits.
No ano passado, foi relatado que os principais fabricantes de memória mencionados acima já haviam ultrapassado a fase de protótipo e iniciado os ciclos de teste. Ao mesmo tempo, previa-se o lançamento da memória DDR6 em 2027. No entanto, isso pode se aplicar apenas à fase de testes para clientes diretos, já que a introdução comercial da memória DDR6 no mercado de massa, segundo o The Elec, é esperada para 2028-2029.
No ano passado, a participação da memória DDR5 em novos servidores foi de cerca de 80%, e este ano espera-se que suba para 90%, enquanto os fabricantes decidiram eliminar gradualmente a memória DDR4 mais antiga. Isso liberará espaço.O espaço para novos padrões permitirá o uso da capacidade produtiva para a fabricação de módulos DDR6.