A Rússia desenvolveu memória ReRAM com características ao nível dos indicadores mundiais

As áreas promissoras da eletrônica na forma de veículos não tripulados, dispositivos vestíveis, IA e uma série de outras áreas requerem uma base de elementos avançada, incluindo uma nova geração de memória não volátil. A nova “memória flash” deve ser mais econômica, rápida e suportar mais ciclos de gravação para substituir a SRAM nos processadores. A ReRAM resistiva pode se tornar essa memória. E a Rússia agora tem sua própria tecnologia de produção ReRAM.

Célula Panasonic ReRAM

O desenvolvimento de uma nova geração de memória não volátil foi anunciado pela empresa Crocus Nanoelectronics, que é apoiada financeiramente pela Rusnano. “As primeiras amostras têm capacidade de memória de 1 Mbit e, em curto prazo, podem ser dimensionadas para até 128 Mbit. Os chips lançados demonstram o consumo de energia durante as operações de leitura e gravação no nível das tecnologias avançadas de memória não volátil do mundo ”, observou o serviço de imprensa.

A capacidade de 1 Mbit pode parecer pequena, mas é preciso lembrar que a Panasonic, por exemplo, iniciou este ano a produção de controladores com unidade ReRAM de 256 KB. Neste contexto, as amostras lançadas nas instalações da Crocus Nanoelectronics parecem bastante valiosas, especialmente porque ninguém mais no mundo produz em série memória ReRAM. Na verdade, os desenvolvedores e fabricantes russos se encontraram na vanguarda de um novo setor da frente tecnológica, pelo qual só podem ser parabenizados.

A memória resistiva foi ativamente desenvolvida por cerca de 15 anos por todos os fabricantes de memória e não apenas. Uma célula com tal memória é uma camada dielétrica encerrada entre dois contatos, que é reversivelmente saturada com íons. Este é um processo bastante ajustado, permitindo que um valor multinível seja gravado em cada célula. A densidade da memória ReRAM irá, com o tempo, exceder muitas vezes a densidade do flash NAND.

A isso também deve ser adicionada a maior resistência ao desgaste com milhões de ciclos de reescrita, baixa latência e dez vezes menor consumo nos modos de gravação, sem falar na não volatilidade. Finalmente, a memória ReRAM é resistente à radiação, alta temperatura e é altamente escalonável na produção.

A Crocus Nanoelectronics planeja iniciar a produção em massa de chips com memória ReRAM no próximo ano. “O primeiro produto com o novo chip de memória, que está previsto para ser lançado, é um chip de identificação por radiofrequência (tecnologia UHF RFID), que é usado, em particular, para marcar mercadorias no controle de armazém.” Mas o objetivo principal será “a integração dos chips de memória russos em produtos inovadores das áreas mais promissoras da microeletrônica: a Internet das coisas, sistemas de inteligência artificial, automação industrial, equipamentos portáteis e médicos”, em que a empresa será ajudada por “mais trabalho em cooperação com parceiros russos e estrangeiros.”

Célula Weebit Nano ReRAM

Infelizmente, os detalhes sobre as características dos chips ReRAM russos ainda não foram divulgados: processo técnico, latência, desempenho ou o número de ciclos de reescrita. No entanto, até agora não há nada para comparar. Interessante nessa direção promete aparecer mais perto do final deste ano. Espera-se que o ReRAM seja produzido em massa pela Samsung, com base na tecnologia Weebit Nano.