A Micron apresentou a primeira memória flash NAND 3D de 232 camadas do mundo – 128 GB em um único chip

A empresa americana Micron apresentou os primeiros chips de memória flash 3D NAND da indústria, compostos por 232 camadas. A produção em massa de novos itens baseados em células TLC começará no final de 2022. O aparecimento dos primeiros produtos na nova memória está previsto para 2023. O aumento da densidade de armazenamento promete menor consumo de energia, velocidades mais rápidas e custos mais baixos, o que se traduzirá em lucros da Micron ou preços mais baixos de SSD.

Fonte da imagem: Micron

Para atingir um número recorde de camadas, a Micron utilizou um método previamente testado – colocou um chip NAND 3D em cima do outro, conectando-os eletricamente e colocando-os em uma base comum (substrato e controlador). No processo de emenda dos cristais, algumas das camadas foram inevitavelmente perdidas, então não um chip NAND 3D de 256 camadas saiu de dois cristais de 128 camadas, mas um de 232 camadas, o que também não é ruim.

Também deve-se notar que a Samsung introduziu o NAND 3D de 256 camadas em 2020, mas não lançou a produção em massa desses chips. Portanto, os chips de memória flash de 176 camadas, que a Micron e a Samsung lançaram no segundo semestre de 2021, podem ser considerados recordistas anteriores. Também é necessário lembrar a empresa chinesa YMTC, em cujo arsenal está prestes a aparecer NAND 3D de 192 camadas.

Outra vantagem do novo Micron pode ser considerada o movimento da eletrônica de controle sob o cristal com uma matriz de células. Esta é a tecnologia CMOS sob matriz (CuA), que todos os fabricantes de NAND 3D possuem em um grau ou outro hoje. Isso permite reduzir a área do chip de memória e colocar ainda mais microcircuitos em cada placa.

A Micron não divulga especificações detalhadas para os chips de 232 camadas. Sabe-se que a capacidade dos chips é de 1 Tbit (128 GB) e em geral eles se tornaram mais rápidos, o que promete o surgimento de unidades de estado sólido ainda mais produtivas.